掃描式電子顯微鏡，又掃描電鏡（Scanning Electron Microscope, SEM）主要是利用微小聚焦的電子束(Electron Beam)進行樣品表面掃描。 此電子束(Electron Beam)與樣品間的交互作用會激發出各種訊號，如: 二次電子、背向散射電子及特性X光等，SEM主要就是收集二次電子的訊號來成像。
Delayer SEM卻仍找不到異常點 靠它解iST 宜特能為你做什麼
SEM景深大、解析度高，放大倍率可達到數十萬倍以上，可用來觀察樣品表面及剖面微結構。如在設備上加裝能量分散X光譜儀(Energy Dispersive Spectrometer， 簡稱EDS)時，可對樣品表面同時進行微區之材料分析，包括定性、半定量之成分分析以及特定區域之Point、Line Scan、Mapping分析。
iST 宜特服務優勢
宜特擁有多台目前業界主流的場發射掃描式電子顯微鏡(掃描電鏡，FE-SEM)：Thermo Fisher Verios 460L、Hitachi Regulus 8240、Hitachi SU8220、Hitachi SU8020、Hitachi S-4700、Jeol 6700F，且加裝EDS (SDD detector)，可提供高解析之表面結構分析影像，亦可快速進行材料成份之分析。
案例分享
低能高解析影像:二次電子影像
低能高解析影像:背向散射電子影像
金顆粒的高解析影像: 二次電子影像
金顆粒的高解析影像: 背向散射電子影像
可應用於IC製程成本分析
電壓對比(Passive Voltage Contrast,PVC）：可應用於影像對比亮暗的差異性，作為判斷contact是否有open/short的異常
可顯示各元素於觀察表面分佈情形
此為使用掃描電子顯微鏡(SEM)大範圍拍攝之影像，左圖是由100張拼圖而成的SEM影像，右圖為取之左圖其中一小塊的影像，可以清楚呈現奈米等級的線路。
藉由層層delayer，並使用SEM拍照拼圖，客戶可透過宜特軟體，檢視各層Metal之對應關係
- 針對各種材料表面微結構觀察
- SEM量測樣品尺寸，如膜厚等
- EDS可針對樣品表面，進行微區定性與半定量成份元素分析/ 特定區域之Point、Line Scan、Mapping分析
- EDS SDD detector可在低電壓下，提升Mapping的空間解析度
- SEM自動拍照，搭配層次去除技術de-process，可提供電路逆向工程參考
- 利用低能電子束掃描做被動式電壓對比(Passive Voltage Contrast, PVC)，對於異常漏電或接觸不良的半導體元件損壞可精準定位
Thermo Fisher Verios 460L
- 電子槍:Schottky FE
- 解析度:0.6nm (加速電壓15kV) ，0.7nm(加速電壓1kV)
- 倍率:45~800k
- 加速電壓:0.5~30kV
HITACHI SU8020
- 電子槍：Cold FE
- 解析度：1.0nm (加速電壓15kV) ，1.3nm(加速電壓1kV)
- 倍率：30~800k
- 加速電壓：0.1~30kV
HITACHI SU8220
- 電子槍:Cold FE
- 解析度:0.8nm (加速電壓15kV) ，1.1nm(加速電壓1kV)
- 倍率:20~1000k
- 加速電壓:0.01~30kV
HITACHI Regulus 8240
- 電子槍:Cold FE
- 解析度:0.7nm(加速電壓15kV)，0.9nm(加速電壓1kV)
- 倍率:20~1000k
- 加速電壓:0.01~30kV
- 自動拍照功能(Auto Capture)