穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron microscopy, TEM)主要是一種使用高能量電子束讓超薄的樣品成像,其影像解析度可達0.1奈米的原子等級,用以觀察材料微結構或晶格缺陷的分析儀器。
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案例分享
高倍率原子影像
先進製程FINFET影像
28奈米HKMG電晶體TEM影像
28奈米HKMG電晶體EDS mapping
28奈米HKMG電晶體EDS line-scan
3D V-NAND Flash結構分析
3D V-NAND Flash EDS line scan分析
LED QW與n spacer磊晶結構
LED QW結構之EDS元素分析
Horizontal direction
Vertical direction
- 顯微結構分析(晶格影像)
- 結晶缺陷、晶格缺陷(dislocation)分析
- 元素成分分析
- 薄膜應力分析
- 電子繞射圖分析
- 雜質及汙染源分析
- 影像自動量測分析
- 半導體產業
- LED產業
- 光電產業
- 微機電(MEMS)產業
FEI Talos-F200
影像 | TEM resolution: 0.1nm STEM resolution: 0.16nm |
EDS | Detector: SDD 30 mm2 x 4 Solid angle: 0.95 |
其他功能 | Piezo stage + DCFI 4K x 4K CCD |
JEOL JEM-2800F
影像 | TEM resolution: 0.1nm STEM resolution: 0.2nm |
EDS | Detector: SDD 100 mm2 x 2 Solid angle: 1.7 |
其他功能 | Strain mapping 4K x 4K CCD |
JEOL JEM-2100F
影像 | TEM resolution: 0.1nm STEM resolution: 0.2nm |
JEOL JEM-F200
影像 | TEM resolution: 0.1nm STEM resolution: 0.16nm |
EDS | Detector: SDD 100 mm2 x 2 Solid angle: 1.7 |
其他功能 | Strain map 4K x 4K CCD |