聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam,簡稱FIB)電路修改,原理是利用鎵離子撞擊樣品表面,搭配有機氣體進行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導體或非導體(新接電路)。
iST 宜特服務優勢
案例分享
- 可達4.5nm解析度,可執行16/14nm製程之線路修補。
- 最大可放置8吋晶圓。
- 支援 Knights Merlin CAD Navigation 軟體。
- 高準確度雷射導引Stage。
- 內建紅外線顯微鏡可觀察CMP層及絕緣矽層 。
- 金屬連線材質有鎢(阻值較低)及白金(速度較快)兩種選擇。
- 建置FEI DE/DX蝕刻氣體,應用於高深寬比、緊密電路,良率表現更為優異。
Model(17) | Capability Process | Capability Note |
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FEI V400ACE(4) | 14/20nm |
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FEI 986-IET(2) | 28/40nm |
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FEI 986 (2) | 55/65nm |
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FEI V600CE/CE+(2) | 65/90nm |
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FEI V600(3) | ≥90nm |
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FEI 200/800(4) | ≥0.13um |
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- 在去封膠、打線或封裝後,先回測再進行FIB
- 同一顆IC上執行越多的修改內容,Fail風險會越高。
- FIB連線的阻值較原IC連線要高,若有低電阻連線需求,請於委案時先註明。
- 提供GDS II以利定位(局部區域或層數即可)作業,有助良率提升。