X光繞射分析(X-ray diffraction analysis, XRD) 是透過X光與晶體的繞射產生圖譜,並從圖譜資料庫比對,即可推論出材料晶體的排列結構、晶體排列的方式和奈米晶粒大小,以及單晶、多晶薄膜材料的結晶性分析等,為評估材料特性的一種非破壞式分析儀器。
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案例分享
材料晶格結構特性分析應用
分析樣品:Al2O3/Si
以下是矽基材上成長氧化鋁薄膜的X光反射圖譜擬合的結果,從以下表格中可以看到實際上有兩層不同密度的氧化鋁薄膜,上下層的厚度分別為0.94nm與6.69nm;另外氧化鋁表面與矽基材介面的粗糙度分別約0.49nm與0.23nm。
分析樣品:InxGa1-xN/GaN超晶格
以下是LED晶片磊晶結構的高解析X光繞射分析圖,從圖中擬合的結果,可以看到超晶格InxGa1-xN/GaN的厚度與組成比例分別為2.4nm/14.35nm與x=16.27%。
- 晶體結構分析(晶格)
- 結晶性分析
- 織構(texture)分析
- 薄膜殘餘應力分析
- 倒晶格空間圖(RSM)分析
- XRR分析
Bruker New D8 Discover
X光源 | 6kW turbo X-ray spot size: 0.3*3mm |
偵測器 | LynxEye PathFinder |
其他功能 | 2 bounce monochromator Ge (002) Laser alignment |
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- LED產業
- 光電產業
- 奈米材料研發