首頁 Service 雙束電漿離子束 (Plasma FIB) 雙束電漿離子束 (Plasma FIB) 2017-07-14by tanja Plasma FIB(P-FIB)原理與Dual Beam FIB(DB-FIB)相似,差別如下: 離子源Xe+(氙離子)PlasmaGa+ (鎵離子) 離子束電流(Probe current)1.5 pA~2.5 μA1.1 pA~65 nA DB-FIB的離子源Ga+容易附著在樣品表面,P-FIB使用Xe可減少樣品Ga污染問題。 P-FIB可大範圍面積快速執行,蝕刻速率提升20倍以上。 四大IC切片手法 哪一種最適合你的樣品先進製程晶片局部去層找Defect 可用何種工具超過 100 um大範圍結構觀察,如何做Cross section?晶片散熱膠(TIM) 異常點難尋 這一獨家檢測手法 Defect速現形 iST 宜特能為你做什麼 iST宜特建置業界最新型Thermo Fisher Scientific Helios 5 Plasma FIB (簡稱PFIB),蝕刻速率較傳統Dual-Beam FIB 可提升20倍以上,配置高解析度的SEM,能在數百微米的大範圍內,精準定位出奈米尺度的特徵物或異常點。 若是小範圍且局部的Cross section分析,仍建議使用Dual-Beam FIB,邊切邊拍,讓您快速取得結構圖。但大範圍結構觀察(剖面>100um或 深度>50um以上),即推薦使用PFIB,不但蝕刻速率快,又可避免使用傳統研磨的方式,因研磨應力產生的結構損壞與定位精準度問題。 案例分享錫球檢測完整呈現TSV結構大面積逐層去除 完整呈現錫球影像 亦可觀察局部 Plasma FIB蝕刻效率佳,且範圍大,可快速且完整呈現多根TSV結構。 PFIB可以透過電漿蝕刻(Plasma Etching)方式,完整且大面積的逐層去除。 應用範圍設備能量 大範圍的結構觀察(>100μm以上),包括:3D IC、矽穿孔結構(TSV )、錫球(Solder ball)及銅柱(Cu pillar)、封裝產品(WLCSP FA)等。 Delayer應用 (28 nm先進製程以下)。 Thermo Fisher Scientific Helios 5 PFIB E-beam解析度:0.7nm @ 1 kV I-beam解析度:<20nm @ 30 kV I-beam最大電流:2.5 μA 聯絡窗口 | 林先生/ Weijui | 電話:+886-3-5799909#6166 | email: web_ma@istgroup.com 您可能有興趣的其他服務 雙束聚焦離子束(Dual Beam FIB) 穿透式電子顯微鏡 (TEM) 掃描式電子顯微鏡 (SEM) 離子束剖面研磨 (CP) 歐傑電子能譜儀 (AES)