Plasma FIB(P-FIB)原理與Dual Beam FIB(DB-FIB)相似，差別如下:
| 離子源 | Xe+（氙離子）Plasma | Ga+ (鎵離子) |
|---|---|---|
| 離子束電流(Probe current) | 1.5 pA~2.5 μA | 1.1 pA~65 nA |
- DB-FIB的離子源Ga+容易附著在樣品表面，P-FIB使用Xe可減少樣品Ga污染問題。
- P-FIB可大範圍面積快速執行，蝕刻速率提升20倍以上。
iST 宜特能為你做什麼
iST宜特建置業界最新型Thermo Fisher Scientific Helios 5 Plasma FIB (簡稱PFIB)，蝕刻速率較傳統Dual-Beam FIB 可提升20倍以上，配置高解析度的SEM，能在數百微米的大範圍內，精準定位出奈米尺度的特徵物或異常點。
若是小範圍且局部的Cross section分析，仍建議使用Dual-Beam FIB，邊切邊拍，讓您快速取得結構圖。但大範圍結構觀察(剖面>100um或 深度>50um以上)，即推薦使用PFIB，不但蝕刻速率快，又可避免使用傳統研磨的方式，因研磨應力產生的結構損壞與定位精準度問題。
案例分享
完整呈現錫球影像
亦可觀察局部
Plasma FIB蝕刻效率佳，且範圍大，可快速且完整呈現多根TSV結構。
PFIB可以透過電漿蝕刻（Plasma Etching）方式，完整且大面積的逐層去除。
- 大範圍的結構觀察(>100μm以上)，包括：3D IC、矽穿孔結構(TSV )、錫球(Solder ball)及銅柱(Cu pillar)、封裝產品(WLCSP FA)等。
- Delayer應用 (28 nm先進製程以下)。
Thermo Fisher Scientific Helios 5 PFIB
- E-beam解析度：0.7nm @ 1 kV
- I-beam解析度：<20nm @ 30 kV
- I-beam最大電流：2.5 μA