首頁 Production MOSFET 晶圓後段製程 (BGBM) MOSFET 晶圓後段製程 (BGBM) 2018-07-20by ruby 在前段晶圓代工廠完成晶圓允收測試(WAT)後,進行封裝(Assembly),如何進行晶圓薄化與背金成長(BGBM)? 好不容易完成了晶圓薄化與背金成長(BGBM),但後續又得將晶圓運送到其他地方做CP和切割,有沒有一次就做到好的合作夥伴? 1.5 mil 晶圓薄化新挑戰,如何在 Taiko BGBM 製程提升晶片強度MOSFET正面金屬化製程(FSM)的兩種選擇-濺鍍V.S.化鍍快問快答-兩分鐘速懂MOSFET晶圓薄化揭開晶圓薄化太鼓製程神秘面紗如何不變更設計,快速降低MOSFET的導通阻抗RDS(on) 宜特導入專業人才與先進製程,協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) 多種粗化製程解決方案 多種背金解決方案 背銀厚度達15um及多種正面金屬製程方案 完整而廣泛的一站式服務 自動化生產客製化量產團隊專業經驗豐富設備完善 服務特色 一站到位 (One-Stop) 服務 MOSFET 正面金屬化 FSM 製程 Front-side Metallization Process MOSFET 晶圓薄化製程Backside Grinding Process MOSFET 背面金屬化製程Backside Metallization Process 其他服務後段製程完整解決方案Turnkey Solution For Backend Process 半導體製造流程 圖說:宜特結合子公司創量科技(舊名:標準科技),可提供從晶圓製程處理一路到後段CP、WLCSP與DPS一站式解決方案。 服務項目 MOSFET 正面金屬化 FSM 製程化鍍 / 無電鍍 (Chemical / Electro-less Plating) 正面金屬濺鍍沈積 (Front-side Metal Sputtering Deposition) MOSFET 晶圓薄化製程晶圓薄化(Wafer Thinning/ Non-Taiko Grinding/Conventional Grinding) 太鼓超薄研磨 (Taiko Grinding) MOSFET 背面金屬化製程金屬蒸鍍沈積 (Metal Evaporation for Backside Metallization) 厚銀製程 (Thick Ag Process) 背面金屬濺鍍沈積 (Backside Metal Sputtering Deposition)-建置中 電鍍 (Electro-Plating)-建置中 後段製程完整解決方案搭配子公司創量科技(舊名標準)提供多項服務,並可依客戶需求,進行製程微調,為客戶提供整合前段晶圓廠及後段Assembly 組裝廠之製程解決方案。 晶片測試 (Chip Probing) 雷射刻號 (Laser Marking) 真空貼片 (Vacuum Mounting) 太鼓環移除 (Ring Removal) 晶片切割 (Die Sawing ) 切割後測試 (Frame Probing) 晶粒挑揀 (Tape & Reel) 最終測試 (Final Test ) 聯絡窗口 | 謝先生 / Felipe | 電話:+886-3-5799909#5802 | Email: web_sp@istgroup.com