晶圓薄化中，正面金屬製程(FSM)的金屬濺鍍沈積 (Front-side Metal Sputtering Deposition)，利用高真空的環境，將氬原子 (Ar) 解離後，產生二次電子和氬 (Ar) 離子，再利用靶材上的負電位，使氬 (Ar) 離子加速撞擊靶材，使靶材上的金屬沈積在晶片表面上。
iST 宜特能為你做什麼
宜特提供正面金屬濺鍍沈積 (Front-Side Metal Sputtering Deposition)，可製備焊墊金屬層，如鈦/鎳釩/銀 (Ti/NiV/Ag)，定義焊墊圖形。
金屬濺鍍沈積(Metal Sputtering Deposition)製程
客戶的晶圓在完成入站檢驗 (IQC) 後，按照客戶指示之種類及厚度，進入濺鍍機沈積金屬(Sputtering)。完成金屬沈積後，以客戶指定之光罩圖形，搭配黃光機台定義要留下的金屬圖形後 (Photo)，進行金屬蝕刻 (Metal Etching)；最後，將光阻去除 (PR Strip) 後，出站檢驗(OQC)。
iST宜特服務優勢
- 提供鈦 /鎳釩/ 銀 (Ti / NiV / Ag) 對鋁墊 (Al Pad) 的高選擇比蝕刻，讓露出的鋁墊 (Al Pad) 減損厚度降到最低，以利客戶可以進行Mix-bond作業，藉此可為客戶降低後續封裝成本。
- 專業黃光製程團隊，協助客戶檢視Tape Out / Job File，無痛轉移後續的光罩作業。
- 工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠，熟悉前中後段之製程整合及分析，能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。
案例分享
以金屬濺鍍沈積 (Metal Sputtering Deposition) 完成的正面金屬化製程，鎳釩及鈦的退縮 (Under Cut) 極小，達0.22um
- 現有金屬組合：鈦/鎳釩/銀 (Ti/NiV/Ag) ，可依客戶需求進行厚度調整
- 適用八吋晶圓
- 鈦/鎳釩/銀 (Ti/NiV/Ag) 成長的均勻性極佳
- 極小Under Cut