首頁 Service 雷射光束電阻異常偵測 (OBIRCH) 雷射光束電阻異常偵測 (OBIRCH) 2017-07-03by tanja 雷射光束電阻異常偵測(Optical Beam Induced Resistance Change,以下簡稱OBIRCH),以雷射光在IC表面(正面或背面) 進行掃描,在IC功能測試期間,OBIRCH 利用雷射掃瞄IC 內部連接位置,並產生溫度梯度,藉此產生阻值變化,並經由阻值變化的比對,定位出IC Hot Spot(亮點、熱點)缺陷位置。 MIM電容元件 漏電,用這五步驟,速找異常點 iST 宜特能為你做什麼 OBIRCH常用於晶片內部電阻異常(高阻抗/低阻抗)、及電路漏電路徑分析。可快速對電路中缺陷定位,如金屬線中的空洞、通孔(via)下的空洞,通孔底部高電阻區等,也能有效的檢測短路或漏電。 iST 宜特服務優勢交期快,效率佳,可進行Backside Probe免去COB樣品備製的時間。 案例分享IC 正面偵測IC 背面偵測 經由OBIRCH掃描IC正面,找到異常亮點、熱點(Hot Spot) 經由OBIRCH掃描IC背面,找到異常亮點、熱點(Hot Spot) 應用範圍 設備極限 金屬線/Poly/Well短路 ( Metal Short / Metal bridge)。 閘極氧化層漏電(Gate Oxide Pin Hole) 金屬導通孔/接觸孔阻值異常 任何有材質或厚度不一樣的Short / Bridge / Leakage / High Resistance 等的IC失效情況。 若待測物輸出電流有不穩定現象,則不適用於OBIRCH機台量測。 聯絡窗口 | 尤小姐/Sylvia | 電話:+886-3-5799909#6780 | email: web_EFA@istgroup.com 您可能有興趣的其他服務 微光顯微鏡(EMMI) 雷射光束電阻異常偵測(OBIRCH) Thermal EMMI(InSb) IC電路修改/點針墊偵錯 ESD保護元件之TLP電特性量測 靜電防護/過度電性應力/閂鎖試驗(ESD/EOS/Latch-up)