雷射光束電阻異常偵測(Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡稱OBIRCH)，以雷射光在IC表面(正面或背面) 進行掃描，在IC功能測試期間，OBIRCH 利用雷射掃瞄IC 內部連接位置，並產生溫度梯度，藉此產生阻值變化，並經由阻值變化的比對，定位出IC Hot Spot(亮點、熱點)缺陷位置。
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OBIRCH常用於晶片內部電阻異常(高阻抗/低阻抗)、及電路漏電路徑分析。可快速對電路中缺陷定位，如金屬線中的空洞、通孔(via)下的空洞，通孔底部高電阻區等，也能有效的檢測短路或漏電。
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案例分享
經由OBIRCH掃描IC正面，找到異常亮點、熱點(Hot Spot)
經由OBIRCH掃描IC背面，找到異常亮點、熱點(Hot Spot)
- 金屬線/Poly/Well短路 ( Metal Short / Metal bridge)。
- 閘極氧化層漏電(Gate Oxide Pin Hole)
- 金屬導通孔/接觸孔阻值異常
- 任何有材質或厚度不一樣的Short / Bridge / Leakage / High Resistance 等的IC失效情況。
若待測物輸出電流有不穩定現象，則不適用於OBIRCH機台量測。