雷射光束電阻異常偵測(Optical Beam Induced Resistance Change,以下簡稱OBIRCH),以雷射光在IC表面(正面或背面) 進行掃描,在IC功能測試期間,OBIRCH 利用雷射掃瞄IC 內部連接位置,並產生溫度梯度,藉此產生阻值變化,並經由阻值變化的比對,定位出IC Hot Spot(亮點、熱點)缺陷位置。
OBIRCH常用於晶片內部電阻異常(高阻抗/低阻抗)、及電路漏電路徑分析。可快速對電路中缺陷定位,如金屬線中的空洞、通孔(via)下的空洞,通孔底部高電阻區等,也能有效的檢測短路或漏電。
交期快,效率佳,可進行Backside Probe免去COB樣品備製的時間。