離子束剖面研磨、離子束截面研磨(Cross Section Polisher, 簡稱CP),是利用離子束切割方式,去切削出樣品的剖面,不同於一般樣品剖面研磨,離子束切削的方式可避免因研磨過程所產生的應力影響。 半自動化研磨技術 成功薄化矽基板 輕鬆找出異常點 四大IC切片手法 哪一種最適合你的樣品 iST 宜特能為你做什麼 任何材料都可以以離子束剖面研磨(CP)進行約1mm大範圍剖面的製備,由於不受應力影響,因此更適用於樣品表面之材料特性的分析(例如EDS、AES、EBSD等表面分析),有效樣品處理範圍約可達500μm。 案例分享銅製程Gold fingerPackageWLCSP 應用範圍 設備極限 軟性材料,例如銅、鋁、金、錫、高分子材料(須特別注意熔融溫度)。 硬性材料,例如陶瓷、玻璃等。 複合材料,由金屬材料、陶瓷材料或高分子材料等兩種或以上複合的多相材料。 樣品最大尺寸: 11mm(W) x 10mm(D) x 2mm(T) 聯絡窗口 | 林先生/Afu | 電話:+886-3-57999096631 | email: [email protected] 您可能有興趣的其他服務 雙束聚焦離子束(Dual-Beam FIB) 剖面/晶背研磨(Cross-section & Backside) 掃描式電子顯微鏡 (SEM) IC開蓋封膠去除(Decap) IC層次去除(Delayer)