導電式原子力顯微鏡 (Conductive Atomic Force Microscopy, 簡稱C-AFM)與AFM原理類似，皆是利用探針針尖與樣品表面原子之間的作用力，呈現樣品表面形貌。但不同之處在於，C-AFM在掃描樣品時，能同步施加偏壓(Bias)，再由探針擷取電流得到電流圖(Current Map)，經過判讀即可發現樣品電性的異常點。
iST 宜特能為你做什麼
一般故障分析手法不外乎先從電性量測定位出亮點，接著使用掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, 簡稱SEM）逐層觀察找異常(defect)，但因為SEM缺乏定量的電性量測功能，可能會錯失SEM 電壓對比 (Voltage Contrast) 無法發現的異常點，此時可以利用C-AFM來輔助。C-AFM可以大範圍掃描目標區域並施加偏壓於試片晶背上，再由一支導電探針擷取電流，可快速得知異常位置的電性是往Ｐ接面、Ｎ接面，還是往Bulk的漏電或開路故障。
iST 宜特服務優勢
宜特一站式故障分析能量，可協助您先以電性故障分析偵測到亮點，並執行Decap/Delayer後進行SEM和C-AFM分析，更可接續以奈米探針電性量測( Nano Prober)，對故障點精確定位後再進行材料分析，如雙束聚焦離子束(Dual-Beam FIB，簡稱DB-FIB)或是穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy，簡稱TEM)切片分析，找出異常點的真因。
案例分享
(a)製程開路故障示意圖；(b) C-AFM的I-V曲線結果。
(a)製程短路故障示意圖；(b) C-AFM的I-V曲線結果。
(a)製程閘極漏電故障示意圖；(b) C-AFM的I-V曲線結果。
(a)製程高阻抗故障示意圖；(b) C-AFM的I-V曲線結果。
樣品量測IV Curve最大電壓±10 V，限電流最大1uA，樣品直徑需小於2 cm，掃描範圍最大50x50 um2。