砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子。差別在於InGaAs可偵測的波長較長，範圍約在900nm到1700nm之間，等同於紅外線的波長區 (EMMI則是在350nm-1100nm)。
iST 宜特能為你做什麼
InGaAs相較EMMI，更適用在檢測「先進製程元件的缺陷」。原因在於尺寸小的元件，相對操作電壓也隨之降低，使得熱載子所激發出的光波長變得較長，而InGaAs就非常適合用於偵測先進製程產品的亮點、熱點(Hot Spot)定位。
iST 宜特服務優勢
宜特建置Double side Probe station，可節省樣品備製的時間與成本。
案例分享
相同熱點、亮點(Hot Spot)的狀況下，EMMI與InGaAs偵測的強度落差。
InGaAs與EMMI的應用雷同，但比 EMMI多了以下優點
- 偵測 缺陷(Defect)時間比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
- 可偵測到微小電流及先進製程的缺陷(Defect)。
- 可偵測到較輕微的 Metal Bridge。
- 針對 IC 背面(Back-side)的定位分析，紅外光對矽基板穿透率較高。
偵測的到亮點、熱點(Hot Spot)情況
- 會產生亮點、熱點(Hot Spot)的缺陷
- 接面漏電(Junction Leakage)
- Contact Spiking
- 熱電子效應(Hot Electrons)
- 閂鎖效應(Latch-Up)
- 閘極氧化層缺陷或漏電(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N current)
- 多晶矽的細絲殘留 (Poly-silicon Filaments)
- 矽基底損傷( Substrate Damage)
- 機械性損傷(Mechanical Damage)
- 及接面崩潰( Junction Avalanche)等
- 原來就會有的亮點、熱點(Hot Spot)
- 飽和區操作中的BJT或MOS(Saturated or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)
- 動態式CMOS (Dynamic CMOS)
- 二極體順向與逆向偏壓崩潰 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)
偵測不到亮點、熱點(Hot Spot)情況
- 不會出現亮點的故障
- 歐姆或金屬的短路(Ohmic Short及Metal Short)
- 亮點被遮蔽之情況
- 埋入式接面的漏電區(Buried Junctions)
- 金屬線底下的漏電區(Leakage Sites Under Metal)
InGaAs因鏡頭旋轉角度限制，最多架4隻針座(4支探針)於平台上，產品高度需低於10 cm，需完全暗房操作，不可有發光元件，且不適用產品於加熱狀態下進行實驗。