iST 宜特服務優勢
宜特建置Double side Probe station,可節省樣品備製的時間與成本。
案例分享
InGaAs與EMMI的應用雷同,但比 EMMI多了以下優點
- 偵測 缺陷(Defect)時間比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
- 可偵測到微小電流及先進製程的缺陷(Defect)。
- 可偵測到較輕微的 Metal Bridge。
- 針對 IC 背面(Back-side)的定位分析,紅外光對矽基板穿透率較高。
偵測的到亮點、熱點(Hot Spot)情況
- 會產生亮點、熱點(Hot Spot)的缺陷
- 接面漏電(Junction Leakage)
- Contact Spiking
- 熱電子效應(Hot Electrons)
- 閂鎖效應(Latch-Up)
- 閘極氧化層缺陷或漏電(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N current)
- 多晶矽的細絲殘留 (Poly-silicon Filaments)
- 矽基底損傷( Substrate Damage)
- 機械性損傷(Mechanical Damage)
- 及接面崩潰( Junction Avalanche)等
- 原來就會有的亮點、熱點(Hot Spot)
- 飽和區操作中的BJT或MOS(Saturated or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)
- 動態式CMOS (Dynamic CMOS)
- 二極體順向與逆向偏壓崩潰 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)
偵測不到亮點、熱點(Hot Spot)情況
- 不會出現亮點的故障
- 歐姆或金屬的短路(Ohmic Short及Metal Short)
- 亮點被遮蔽之情況
- 埋入式接面的漏電區(Buried Junctions)
- 金屬線底下的漏電區(Leakage Sites Under Metal)
InGaAs因鏡頭旋轉角度限制,最多架4隻針座(4支探針)於平台上,產品高度需低於10 cm,需完全暗房操作,不可有發光元件,且不適用產品於加熱狀態下進行實驗。