透過SEM顯微鏡的極小曲率半徑探針,搭接IC內部線路或接觸層(Contact Layer),使其外接電性量測設備,藉此輸入訊號並量測電特性曲線;另外,亦可利用SEM電子束特性,進行相關應用分析,包括EBIC電子束感應電流(Electron Beam Induced Current)、EBAC電子束吸收電流(Electron Beam Absorbed Current )、EBIRCH電子束感應阻抗偵測 (Electron Beam Induced Resistance Change)。
透過SEM顯微鏡的極小曲率半徑探針,搭接IC內部線路或接觸層(Contact Layer),使其外接電性量測設備,藉此輸入訊號並量測電特性曲線;另外,亦可利用SEM電子束特性,進行相關應用分析,包括EBIC電子束感應電流(Electron Beam Induced Current)、EBAC電子束吸收電流(Electron Beam Absorbed Current )、EBIRCH電子束感應阻抗偵測 (Electron Beam Induced Resistance Change)。
1. 在SEM真空環境下進行電特性量測,可避免外界環境的雜訊干擾。對於半導體元件的故障分析,以及元件在奈米尺度下的研發,提供直接且快速的資訊。
2. 在IC內部線路層或接觸層(Contact layer)電性量測發現異常後,可在同一台設備切換量測模式,直接確認異常位置。
可依不同需求,快速切換功能,同時進行量測與定位異常位置。
針對先進製程之元件,搭配SEM高倍率電子顯微鏡進行精準量測,可量測到7奈米(nm)製程。