交互使用各種不同處理方式(離子蝕刻 / 化學藥液蝕刻 / 機械研磨)，使晶片本身多層結構(Passivation, Metal, Oxide)可一層一層去除，也就是晶片去層(Delayer)。透過IC研磨(Polishing)與層次去除(Delayer)可逐層檢視是否有缺陷，並可提供後續實驗，清楚解析出每一層電路佈線結構。
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以乾、濕蝕刻及研磨(Polishing)等方法去除各Metal層做逆向分析，在以光學顯微鏡(50x~1500x)或電子顯微鏡拍攝(更大倍率)，檢視是否有Metal Leakage或Burn Out、Metal Short等異常，且可利用電子顯微鏡做VC對照參考，判斷二次電子產生的亮暗異常。
逆向去層分析(Delayer)
- 一般Cu、Al金屬層Delayer去層
(Cratering, Via, ARC, Metal, Barrier Metal, Substrate…) - 閘氧Pin Hole(配合SEM掃描)
- FinFET製程
SEM電子顯微鏡 (型號: HITACHI SU8220 )
- 較小製程或微小異常檢視
- 二次電子掃描
- FinFET製程之立體Substrate檢視
EDS元素分析鑑定
- 一般Cu、Al金屬層Delayer去層
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案例分享
IC delayer層次去除→OM檢視→Contact層分別以SEM高及低電壓掃描(VC)→蝕刻至Gate Oxide以SEM掃描檢視
IC delayer 層次去除至Contact→OM檢視拍攝→SEM電子及二次電子掃描→研磨至Poly→SEM掃描Poly Profile
FinFET Delayer製程層次去除至Substrate→OM檢視拍攝→SEM掃描
