首頁 Service IC 層次去除 (Delayer) IC 層次去除 (Delayer) 2017-07-03by tanja 交互使用各種不同處理方式(離子蝕刻 / 化學藥液蝕刻 / 機械研磨),使晶片本身多層結構(Passivation, Metal, IDL)可一層一層去除,也就是晶片去層(Delayer)。透過IC研磨(Polishing)與層次去除(Delayer)可逐層檢視是否有缺陷,並可提供後續實驗,清楚解析出每一層電路佈線結構。 MIM電容元件 漏電,用這五步驟,速找異常點 iST 宜特能為你做什麼 以乾、濕蝕刻及研磨(Polishing)等方法去除各Metal層做逆向分析,在以光學顯微鏡(50x~1500x)或電子顯微鏡拍攝(更大倍率),檢視是否有Metal Leakage或Burn Out、Metal Short等異常,且可利用電子顯微鏡做VC對照參考,判斷二次電子產生的亮暗異常。 逆向去層分析(Delayer) 一般Cu、Al金屬層Delayer去層 (Cratering, Via, ARC, Metal, Barrier Metal, Substrate…) 閘氧Pin Hole(配合SEM掃描) FinFET製程 SEM電子顯微鏡 (型號: HITACHI SU8220 ) 較小製程或微小異常檢視 二次電子掃描 FinFET製程之立體Substrate檢視 EDS元素分析鑑定 iST 宜特服務優勢1領先市場的分析能力:Cu製程去層技術已達10奈米Socket。 2快速交期:早上收件,隔天早上完成 3搭配HR-SEM & EDS,可提供業界高解析之表面結構影像,亦可快速進行材料成份分析。 案例分享IC Delayer完整解決方案(1)IC Delayer完整解決方案(2)FinFET製程層次去除 IC delayer層次去除→OM檢視→Contact層分別以SEM高及低電壓掃描(VC)→蝕刻至Gate Oxide以SEM掃描檢視 IC delayer 層次去除至Contact→OM檢視拍攝→SEM電子及二次電子掃描→研磨至Poly→SEM掃描Poly Profile FinFET Delayer製程層次去除至Substrate→OM檢視拍攝→SEM掃描 聯絡窗口 | 吳先生/Sam | 電話:+886-3-5799909#6736 | email: web_decap@istgroup.com 您可能有興趣的其他服務 IC電路修改/點針墊偵錯 IC開蓋封膠去除(Decap) 剖面/晶背研磨(Cross-section & Backside) 點針訊號量測(Probe) 掃描式電子顯微鏡 (SEM) IC結構/成本分析