交互使用各種不同處理方式(離子蝕刻 / 化學藥液蝕刻 / 機械研磨),使晶片本身多層結構(Passivation, Metal, Oxide)可一層一層去除,也就是晶片去層(Delayer)。透過IC研磨(Polishing)與層次去除(Delayer)可逐層檢視是否有缺陷,並可提供後續實驗,清楚解析出每一層電路佈線結構。
交互使用各種不同處理方式(離子蝕刻 / 化學藥液蝕刻 / 機械研磨),使晶片本身多層結構(Passivation, Metal, Oxide)可一層一層去除,也就是晶片去層(Delayer)。透過IC研磨(Polishing)與層次去除(Delayer)可逐層檢視是否有缺陷,並可提供後續實驗,清楚解析出每一層電路佈線結構。
以乾、濕蝕刻及研磨(Polishing)等方法去除各Metal層做逆向分析,在以光學顯微鏡(50x~1500x)或電子顯微鏡拍攝(更大倍率),檢視是否有Metal Leakage或Burn Out、Metal Short等異常,且可利用電子顯微鏡做VC對照參考,判斷二次電子產生的亮暗異常。
領先市場的分析能力:Cu製程去層技術已達10奈米Socket。
快速交期:早上收件,隔天早上完成
搭配HR-SEM & EDS,可提供業界高解析之表面結構影像,亦可快速進行材料成份分析。