發佈日期：2018/11/20
發佈單位：iST宜特
你或許知道可以利用逆向工程了解IC設計架構，避免專利糾紛。
那你知道，可以用什麼工具進行逆向工程，透視奈米等級的IC線路呢?
逆向工程，又稱反向還原工程(Reverse Engineering)，不熟悉此工程的人，常常將之與駭客、盜版、竊盜連結在一起。但其實不盡然，隨著專利戰盛行，逆向工程對於許多企業而言，不僅是用來保護自身的專利，確保競爭對手不能非法使用這些專利，同時也保護自己不會侵犯到競爭對手的專利。
而對於半導體產業而言，逆向工程更一直是IC研發設計的主軸，可以協助IC設計公司在開發新產品所需的成本、工時、人力與技術作全面性的分析，並在電路提取上可針對有專利性的電路，經專利地圖資料庫分析比較以做好專利迴避，藉此了解市場態勢並掌握商機。
在早期進行IC逆向工程，會使用光學顯微鏡(OM)進行拍照來觀察IC線路設計，然而，在半導體隨摩爾定律逐步從28nm、16nm、10nm、7nm、5nm一路往更小的製程推進後，光學顯微鏡(OM)受限在全自動拍照拼圖僅1500倍率下，已無法清楚拍出線路。
圖片說明：此為使用光學顯微鏡(OM) 1500倍鏡頭拍攝之影像，左圖是由一千張拼圖而成的OM影像，右圖為取之左圖其中一小塊的影像，無法清楚呈現奈米等級的線路影像
那要如何清楚透視微奈米級的線路？可利用大範圍掃描拍照拼圖達四萬倍、局部拍照可達百萬倍的掃描電子顯微鏡(SEM)來進行拍照。
SEM有兩個功能，一個是產品有缺陷，用來進行失效分析找Defect，這種案例通常只需要進行「局部拍照」；第二種功能，就是本篇小學堂所討論用在IC的逆向工程，為了要避免專利糾紛、做好專利迴避，此時的拍照，就不能只是局部拍照，必須大範圍掃描拍照，透視IC中所有的線路。
宜特最新引進的SEM機台，可搭配拼接圖片軟體，大範圍掃描拍攝IC，顯微透視達4萬倍的IC線路設計。
圖片說明：此為使用掃描電子顯微鏡(SEM)大範圍拍攝之影像，左圖是由100張拼圖而成的SEM影像，右圖為取之左圖其中一小塊的影像，可以清楚呈現奈米等級的線路。
值得一提，宜特協助客戶完成SEM大範圍拍照拼圖影像後，客戶亦可搭配宜特提供的軟體，進行:
- 任意放大移動檢視圖片
- 尺規量測功能
- 各層Metal線路圖的對應關係
圖片說明：搭配宜特軟體，可自行任意放大移動檢視圖片，清楚呈現奈米等級的線路影像(左上、右上、左下圖)。並具備尺規量測功能(右下圖)
圖片說明: 藉由層層delayer，並使用SEM拍照拼圖，客戶可透過宜特軟體，檢視各層Metal之對應關係
本文與各位長久以來支持宜特的您，分享經驗，若您想要更進一步了解細節，歡迎洽詢+886-3-5799909 分機6641 陳先生Edward│Email: web_pfa@istgroup.com
※ 備註1: 本文案例圖為市售IC樣品，非宜特客戶IC樣品。
※ 備註2: 客戶之IC樣品宜特視為最高機密，因此絕對不會將客戶送樣分析結果，洩漏給其他客戶。