首頁 如何利用SEM全視界影像技術,逆向透視奈米等級製程,避免侵權?

如何利用SEM全視界影像技術,逆向透視奈米等級製程,避免侵權?

首頁 如何利用SEM全視界影像技術,逆向透視奈米等級製程,避免侵權?

如何利用SEM全視界影像技術,逆向透視奈米等級製程,避免侵權?

by ruby

發佈日期:2018/11/20
發佈單位:iST宜特

你或許知道可以利用逆向工程了解IC設計架構,避免專利糾紛。
那你知道,可以用什麼工具進行逆向工程,透視奈米等級的IC線路呢?

逆向工程,又稱反向還原工程(Reverse Engineering),不熟悉此工程的人,常常將之與駭客、盜版、竊盜連結在一起。但其實不盡然,隨著專利戰盛行,逆向工程對於許多企業而言,不僅是用來保護自身的專利,確保競爭對手不能非法使用這些專利,同時也保護自己不會侵犯到競爭對手的專利。

而對於半導體產業而言,逆向工程更一直是IC研發設計的主軸,可以協助IC設計公司在開發新產品所需的成本、工時、人力與技術作全面性的分析,並在電路提取上可針對有專利性的電路,經專利地圖資料庫分析比較以做好專利迴避,藉此了解市場態勢並掌握商機。

在早期進行IC逆向工程,會使用光學顯微鏡(OM)進行拍照來觀察IC線路設計,然而,在半導體隨摩爾定律逐步從28nm、16nm、10nm、7nm、5nm一路往更小的製程推進後,光學顯微鏡(OM)受限在全自動拍照拼圖僅1500倍率下,已無法清楚拍出線路。

圖片說明:此為使用光學顯微鏡(OM) 1500倍鏡頭拍攝之影像,左圖是由一千張拼圖而成的OM影像,右圖為取之左圖其中一小塊的影像,無法清楚呈現奈米等級的線路影像

那要如何清楚透視微奈米級的線路?可利用大範圍掃描拍照拼圖達四萬倍、局部拍照可達百萬倍的掃描電子顯微鏡(SEM)來進行拍照。

SEM有兩個功能,一個是產品有缺陷,用來進行失效分析找Defect,這種案例通常只需要進行「局部拍照」;第二種功能,就是本篇小學堂所討論用在IC的逆向工程,為了要避免專利糾紛、做好專利迴避,此時的拍照,就不能只是局部拍照,必須大範圍掃描拍照,透視IC中所有的線路。

宜特最新引進的SEM機台,可搭配拼接圖片軟體,大範圍掃描拍攝IC,顯微透視達4萬倍的IC線路設計。

圖片說明:此為使用掃描電子顯微鏡(SEM)大範圍拍攝之影像,左圖是由100張拼圖而成的SEM影像,右圖為取之左圖其中一小塊的影像,可以清楚呈現奈米等級的線路。

值得一提,宜特協助客戶完成SEM大範圍拍照拼圖影像後,客戶亦可搭配宜特提供的軟體,進行:

  1. 任意放大移動檢視圖片
  2. 尺規量測功能
  3. 各層Metal線路圖的對應關係
tech_20181120_3
tech_20181120_5
tech_20181120_4
tech_20181120_6

圖片說明:搭配宜特軟體,可自行任意放大移動檢視圖片,清楚呈現奈米等級的線路影像(左上、右上、左下圖)。並具備尺規量測功能(右下圖)

tech_20181120_7
tech_20181120_8

圖片說明: 藉由層層delayer,並使用SEM拍照拼圖,客戶可透過宜特軟體,檢視各層Metal之對應關係

本文與各位長久以來支持宜特的您,分享經驗,若您想要更進一步了解細節,歡迎洽詢+886-3-5799909 分機6641 陳先生Edward│Email: web_pfa@istgroup.com

※ 備註1: 本文案例圖為市售IC樣品,非宜特客戶IC樣品。
※ 備註2: 客戶之IC樣品宜特視為最高機密,因此絕對不會將客戶送樣分析結果,洩漏給其他客戶。

您可能有興趣的相關文章