Thermal EMMI是利用InSb材質的偵測器,接收故障點通電後產生的熱輻射分布,藉此定位故障點(熱點、亮點Hot Spot)位置,同時利用故障點熱輻射傳導的時間差,即能預估IC故障點的深度位置。
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案例分享
在低倍率下,可清楚看出IC 表面標記 (Marking)。
在阻抗極低的短路失效樣品中,利用InGaAs與OBIRCH並無法測到亮點,但Thermal EMMI可以成功清楚偵測到亮點,並且可以量測亮點相對座標,方便之後Delayer 或Cross-section定位用。
IC不需要開蓋(Decap),也可偵測出熱點、亮點(Hot Spot),配合X-ray可清楚判定是裸晶(Die)或是封裝問題。
PCB短路問題也可以偵測到Hot Spot(熱點、亮點)。
Effect of doping on transmission through silicon:
Transmission for 100um SI and different doping levels
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