Wafer Thinning
晶圓薄化(BGBM)的背面研磨製程中(Backside Grinding, BG)，利用研磨輪，進行快速而精密之研磨 (Grinding) 後，再以蝕刻液進行表面微蝕刻，藉以去除因研磨產生的破壞層，並釋放應力。
Wafer Thinning
iST 宜特能為你做什麼
完整的BGBM製程，第一步是晶圓薄化，在研磨 (Grinding) 及蝕刻後，可為客戶提供厚度達到僅100um的厚度，並利用晶背溼蝕刻 (Backside Wet Etching) 進行晶片表面厚度再減薄、粗化及降低應力。
一般研磨 (Wafer Thining/Non-Taiko Grinding)流程
客戶晶圓完成入站檢驗後，依照客戶晶圓特性，與前段晶圓代工廠所生產的護層確認所需使用之膠帶後，進行膠帶貼附 (Taping)；接著，進行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)，並在完成一般研磨後，進行晶背溼蝕刻 (Backside Wet Etching)；最後，進行厚度量測 (Measurement) 後，出站檢驗。
Wafer Thinning
iST宜特服務優勢
- 採用DISCO全自動機台，可精準控制研磨
- 提供有槽式及單片式蝕刻機台，可依客戶需求對N型或 P型晶圓提供亮面與粗面製程。
- 提供非接觸式光學量測，高精準度，完勝一般業界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
- 工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠，熟悉前中後段之製程整合及分析，能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。
案例分享
研磨後的晶圓：可清楚看見研磨痕
蝕刻後的晶圓：表面己粗化
- 現有厚度組合： ≧100um，可依客戶需求進行厚度調整
- 適用八吋、六吋、P型 / N型晶圓