Wafer Thinning
晶圓薄化(BGBM)的背面研磨製程中(Backside Grinding, BG),利用研磨輪,進行快速而精密之研磨 (Grinding) 後,再以蝕刻液進行表面微蝕刻,藉以去除因研磨產生的破壞層,並釋放應力。
Wafer Thinning
一般研磨 (Wafer Thining/Non-Taiko Grinding)流程
客戶晶圓完成入站檢驗後,依照客戶晶圓特性,與前段晶圓代工廠所生產的護層確認所需使用之膠帶後,進行膠帶貼附 (Taping);接著,進行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding),並在完成一般研磨後,進行晶背溼蝕刻 (Backside Wet Etching);最後,進行厚度量測 (Measurement) 後,出站檢驗。
Wafer Thinning
iST宜特服務優勢
- 採用DISCO全自動機台,可精準控制研磨
- 提供有槽式及單片式蝕刻機台,可依客戶需求對N型或 P型晶圓提供亮面與粗面製程。
- 提供非接觸式光學量測,高精準度,完勝一般業界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
- 工程師團隊背景多元化,有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠,熟悉前中後段之製程整合及分析,能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。
案例分享
研磨後的晶圓:可清楚看見研磨痕
蝕刻後的晶圓:表面己粗化
- 現有厚度組合: ≧100um,可依客戶需求進行厚度調整
- 適用八吋、六吋、P型 / N型晶圓