Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機台能在使用離子束切割樣品的同時,用電子束對樣品斷面(剖面)進行觀察,亦可進行EDX的成份分析。
iST 宜特服務優勢
案例分享
- 半導體元件故障分析(能力可達14nm高階製程)
- 半導體生產線製程異常分析
- 磊晶與薄膜結構分析
- 電位對比測試
- 穿透式電子顯微鏡試片製作
- 奈米級結構製作
FEI Helios NanoLab 660
- 樣品最大尺寸:150mm
- 配有150mm2 SDD EDS偵測器,可進行即時EDS分析
- 配有MultiChem氣體系統,可通入六種沉積或stain氣體
- 觀測範圍寬度超過100um,或深度超過50um時,建議可改用切削速度更快速的Plasma FIB
E-beam | I-beam | |
---|---|---|
Resolution | 0.6 nm at 15kV 0.7 nm at 1 kV | 4.0 nm at 30 kV |
Accelerate Voltage | 20 V – 30 kV | 0.5 kV – 30 kV |
Probe current | 0.8 pA – 100 nA | 0.1 pA – 65 nA |
