Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機台能在使用離子束切割樣品的同時，用電子束對樣品斷面(剖面)進行觀察，亦可進行EDX的成份分析。
第三代寬能隙半導體到底在紅什麼?iST 宜特能為你做什麼
具備超高解析度的離子束及電子束的Dual Beam FIB，能針對樣品中的微細結構進行奈米尺度的定位及觀察。離子束最大電流可達65nA，快速的切削速度能有效縮短取得資料的時間。
iST 宜特服務優勢
案例分享
H660具有極佳的E-beam解析度，標示處3nm的Void與Gate Oxide均清晰可見。
150mm2大面積EDS偵測器，可達極佳的空間解析度，實現「邊切、邊拍、邊分析」的高階應用。
由專業故障分析團隊為您執行完整的EFA > PFA > FIB cross-sectioning流程。
採用特殊樣品製備手法(研磨+ Ion milling)，迅速得到大範圍銅晶粒影像。
最薄可製備出厚度約15nm之TEM試片。
- 半導體元件故障分析(能力可達14nm高階製程)
- 半導體生產線製程異常分析
- 磊晶與薄膜結構分析
- 電位對比測試
- 穿透式電子顯微鏡試片製作
- 奈米級結構製作
FEI Helios NanoLab 660
- 樣品最大尺寸：150mm
- 配有150mm2 SDD EDS偵測器，可進行即時EDS分析
- 配有MultiChem氣體系統，可通入六種沉積或stain氣體
- 觀測範圍寬度超過100um，或深度超過50um時，建議可改用切削速度更快速的Plasma FIB
| E-beam | I-beam | |
|---|---|---|
| Resolution | 0.6 nm at 15kV 0.7 nm at 1 kV | 4.0 nm at 30 kV |
| Accelerate Voltage | 20 V – 30 kV | 0.5 kV – 30 kV |
| Probe current | 0.8 pA – 100 nA | 0.1 pA – 65 nA |
