EMMI (Emission Microscopy)是用來做故障點定位、尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具。其具備高靈敏度的制冷式電荷(光)耦合元件(C-CCD)偵測器，可偵測元件中電子－電洞再結合時所發射出來的光子，其光波長在 350 nm ~ 1100 nm，此範圍相當於可見光和紅外光區。
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EMMI可廣泛應用於偵測各種元件缺陷所產生的漏電流，包括閘極氧化層缺陷(Gate oxide defects)、靜電放電破壞(ESD Failure)、閂鎖效應(Latch Up)、漏電(Leakage)、接面漏電(Junction Leakage) 、順向偏壓(Forward Bias)及在飽和區域操作的電晶體，可藉由EMMI定位，找熱點(Hot Spot 或找亮點)位置，進而得知缺陷原因，幫助後續進一步的故障分析。
案例分享
利用EMMI偵測到熱點(Hot Spot)
EMMI偵測的到亮點、熱點(Hot Spot)情況
- 會產生亮點、熱點(Hot Spot)的缺陷
- 接面漏電(Junction Leakage)
- Contact Spiking
- 熱電子效應(Hot Electrons)
- 閂鎖效應(Latch-Up)
- 閘極氧化層缺陷或漏電(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N current)
- 多晶矽的細絲殘留 (Poly-silicon Filaments)
- 矽基底損傷( Substrate Damage)
- 機械性損傷(Mechanical Damage)
- 及接面崩潰( Junction Avalanche)等
- 原來就會有的亮點、熱點(Hot Spot)
- 飽和區操作中的BJT或MOS(Saturated or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)
- 動態式CMOS (Dynamic CMOS)
- 二極體順向與逆向偏壓崩潰 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)
偵測不到亮點情況
- 不會出現亮點的故障
- 歐姆或金屬的短路(Ohmic Short / Metal Short)
- 亮點被遮蔽之情況
- 埋入式接面的漏電區(Buried Junctions)
- 金屬線底下的漏電區(Leakage Sites Under Metal)
EMMI因鏡頭旋轉角度限制，最多架4支針座(4支探針)於平台上，且產品高度需低於10 cm，需完全暗房操作，不可有發光元件。