重複擦寫測試(Cycling Endurance Test)：分別於高溫和常溫下對非揮發性記憶體元件進行固定次數的Erase/Program，目的為測試該元件重複擦寫的耐久能力。
資料儲存能力測試(Data Retention Test)： 將資料儲存於非揮發性記憶體元件後，分別進行高溫加速烘烤和常溫讀取元件內資料，目的為測試該元件的資料儲存能力。
測試條件
| Stress | Ref. | Abbv. | Conditions | Requirements Lots/SS per lot | Requirements Duration/Accept |
|---|---|---|---|---|---|
| Nonvolatile Memory 125 °C Uncycled High Temperature Data Retention | JESD22-A117 | UCHTDR | FGCT: TA Nonvolatile Memory 125 °C PCM: TA 90 °C | 3 Lots / 77 units | 1000 hrs / 0 Fail / note(a) |
| Nonvnlatile Memory Cycling Endurance | JESD22-A117 | NVCE | 25 °C and 85 °C ≥TJ 55 °C | 3 Lots / 77 units | Up to Spec. Max Cycles per note (b) / 0 Fails |
| Up to Spec. Max Cycles per note (b) / 0 Fails | JESD22-A117 | PCHTDR | FGCT: Option 1: TJ = 100 °C PCM: Option 1: TJ = 90 °C ------------ FGCT : Option 2: TJ 125 °C PCM: Option 2: TJ 100 °C | 3 Lots / 39 units | Cycles per NVCE(55 °C) / 96 and 1000 hrs / 0 Fail /note (c) -------------- Cycles per NVCE(55 °C) / 10 and 100 hrs / 0 Fail / note (c) |
| Nonvolatile Memory Low-Temperature Retention and Read Disturb | JESD22-A117 | LTDR | TA = 25 °C | 3 Lots / 38 units | Cycles per NVCE(25 °C) / 500 hrs / 0 Fail / note (d) |
Follow JESD 47 Table 1a
失效模式
- 重複擦寫測試(Cycling Endurance Test)
- 無法達到該非揮發性記憶體元件規格書定義的擦/寫次數。
- 無法於該非揮發性記憶體元件規格書定義的擦/寫次數內進行抹除或寫入動作。
- 資料儲存能力測試(Data Retention Test)
- 無法達到該非揮發性記憶體元件規格書定義的資料儲存時間。
- 因電荷流失、電容性耦合失效等等原因造成資料儲存錯誤。
服務優勢
- 擁有協助數個記憶體大廠進行非揮發性記憶體耐久性測試經驗。
- 可協助客戶編輯Flash 測試Pattern，另可提供編輯DDR3/DDR4/LPDDR2 HTOL/ELFR 測試Pattern。
參考規範
- JESD 47 / JESD22-A117 / JESD22-A103 / JESD22-A108
- AEC-Q100 / AEC-Q100-005
- 車用、消費性、 商用、工業用