在IC表面使用聚焦離子束形成導電孔及導電墊子,再利用特殊接合方式使導電墊子連接金屬導線,以形成導電路徑。
iST 宜特服務優勢
優勢比較 | N-FIB | 傳統 FIB |
---|---|---|
R esistance with long wiring (1000 μ m) | 1 Ω± 10% | 7000 Ω± 10% |
Parasitic capacitance | < 200fF | Less |
Parasitic inductance | ~0.5nH/mm | Less |
Current limit | Less | Possible |
Power line | 1A | 3mA |
Insert device | Yes | No |