在IC表面使用聚焦離子束形成導電孔及導電墊子，再利用特殊接合方式使導電墊子連接金屬導線，以形成導電路徑。
iST 宜特能為你做什麼
To Reduce Parasitic Resistance With Long Wiring Requirement
To Measure The Internal Nodes Of Your Chip More Easier低電阻連線
以1000um 連線為例，傳統FIB連線的電阻為7000ohm(PT)；使用宜特N-FIB在IC表面上連線的電阻約僅10 ohm，這是傳統FIB無法做到的。
訊號引出
利用N-FIB技術將訊號藉由銀導線引出到IC外部， IC設計者可直接用外部銀線加以量測，整個連線路徑的電阻、電感較使用探針小而且穩定度較高，並可重複使用。
可加入被動元件
利用宜特N-FIB可以在IC表面加入多種規格的電阻、電容， 讓IC設計者使用此種應用，在設計除錯的工作上更加得心應手。
iST 宜特服務優勢
| 優勢比較 | N-FIB | 傳統 FIB |
|---|---|---|
| R esistance with long wiring (1000 μ m) | 1 Ω± 10% | 7000 Ω± 10% |
| Parasitic capacitance | ＜ 200fF | Less |
| Parasitic inductance | ~0.5nH/mm | Less |
| Current limit | Less | Possible |
| Power line | 1A | 3mA |
| Insert device | Yes | No |
案例分享
- 低阻抗的長距離端點連結
- 減少離子束的破壞
- 適用於大電流或電源電路
- 可插入電阻/電容被動元件