晶圓薄化的背面金屬化製程中(Backside Metallization, BM)，厚銀製程 (Thick Ag Process)，在高真空的環境，利用電子束加熱欲蒸鍍之靶材，使靶材氣化後附著在加熱的晶片表面。
iST 宜特能為你做什麼
宜特提供的厚銀製程 (Thick Ag Process)，以蒸鍍機為客戶提供10um~15um，甚至最高可達50um的厚銀製程。
厚銀製程 (Thick Ag Process)流程
晶圓完成入站檢驗後 (IQC)，按照客戶指示之種類及厚度進行靶材準備後，進入蒸鍍機 (Evaporator) 沈積金屬。完成金屬沈積 (Metal Evaporation) 後，再接著，進行厚度量測後 (Measurement)，出站檢驗 (OQC)。
iST宜特服務優勢
- 宜特提供的蒸鍍機，可達厚度50 um之厚銀。
- 提供雙冷凍幫浦，提升金屬成長高真空環境度。
- 靶材選擇多樣化，且可客製化。
- 工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠，熟悉前中後段之製程整合及分析，能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。
案例分享
Ti/Ni/Ag/Ni沈積後，藉由Cross Section觀察，銀的厚度達13.16um
- 現有厚度組合：10~15um己量產，可依客戶需求進行厚度調整；16~50um開發中，可依客戶需求進行開發及驗證。
- 適用六吋、八吋、N型、P型晶圓。
- 搭配Taiko Wafer可使Warpage降低是極佳的組合。