傳統機械研磨(Grinding)最大優勢，是可以達到大面積的觀察範圍(<15cm皆可)，跨越整顆晶粒(Die)，甚至是封裝品(Package)，因此在需全面性檢視堆疊的結構或是尺寸量測等等，就適合使用Grinding手法 (圖一)。此手法可透過機械切割、冷埋、研磨、拋光四步驟，拋光(polish)至所需觀察的位置 (閱讀更多請點此)。

相較於傳統機械研磨(Grinding)，Cross-section Polisher (簡稱CP)的優點在於，利用離子束切削(ion milling)作最後的ending cut，可以減低多餘的人為損傷，避免傳統研磨機械應力產生的結構損壞。且除了切片外，CP還有另一延伸應用，就是可以針對樣品進行表面微蝕刻，來幫助您解決研磨後造成的金屬延展或變形問題。因此若您欲觀察金屬堆疊型之結構、界面合金共化物Intermetallic compound(簡稱IMC)，CP是非常適合的分析手法。

CP的手法，就是先利用研磨(Grinding)將樣品先停在目標區前，再使用氬離子Ar+，取其一範圍切削至目標觀測區，此做法不僅能有效縮短分析時間，後續再搭配掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，簡稱SEM)進行拍攝，將能夠完整呈現絕佳材料對比(圖三)。

在3D-IC半導體製程技術中，不想用研磨(grinding)將樣品整個破壞，這時就可考慮使用「電漿聚焦離子束顯微鏡Plasma FIB，簡稱PFIB)」分析手法，結合電漿離子蝕刻加工與SEM觀察的功能，適用於分析範圍在50-500 um的距離內，可進行截面分析與去層觀察(閱讀更多: 先進製程晶片局部去層找Defect 可用何種工具)，甚至針對特定區域亦可同時邊切邊觀察，不用擔心因盲目切削而會有誤傷目標區的狀況，確保異常或是特定觀察結構的完整性(圖六)。

結合鎵離子束與SEM的雙束聚焦離子束顯微鏡(Dual Beam FIB，簡稱DB-FIB)，能針對樣品中的微細結構進行奈米尺度的定位及觀察(圖七)，適用於分析範圍在50um以下的結構或異常觀察；同時亦可進行EDX以及電子背向散射(Electron Backscatter Diffraction，簡稱EBSD)的分析，可得到目標區的成分以及晶體相關訊息，除了上述分析之外，當觀察的異常區域或結構太小，用SEM無法得到足夠的訊息時，DB-FIB也可以執行穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，簡稱TEM)的試片製備，後續可用TEM進行更高解析度的分析。