差排軌跡 在晶片製造過程中是一個相當棘手的問題，這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流，進而嚴重影響元件的可靠性。TEM是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具……
對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。究竟TEM是運用什麼原理來解析的呢?
高階TEM試片費用高昂，但異質材料堆疊的接合問題偏偏又需要原子級的分析，有沒有什麼辦法兼顧成本和需求？本文將以兩案例說明，如何運用傅立葉過濾技術，以相對低的成本提升TEM試片的HRTEM影像品質，探索原子級異質晶體界面分析…
明明是同一張TEM黑白影像，卻有截然不同的判讀？ 判讀正確，快速改良製程，拉大和競爭對手的距離。判讀錯誤，引起不必要的恐慌，搞得人心惶惶？在TEM的黑與白之間，究竟存在著什麼學問，如何確保自己是站在正確的一方呢…
慣性思維可以讓你熟能生巧，但也可能讓你在TEM樣品製備時，完全走錯方向，因此迷失試片中的重要訊息！究竟人類的慣性思維如何錯置TEM材料分析的結果…