當TEM/EDS分析涉及碳、氮、氧等輕元素，若無特殊校正技術，成分分析的準確性將難以保證。本文介紹自我校正技術，透過參考相修正EDS數據，大幅提升氧化物、氮化物等分析的準確度，並以GaN薄膜案例驗證其應用成效…
A14製程即將問世，原子探針斷層掃描器（APT）成為新興的材料分析技術，現已成功應用於多種材料和半導體元件。那麼，APT的原理機制究竟是什麼？而APT針尖型的樣品又該如何製備呢？
一遇到碳、氮、氧等輕元素，TEM/EDS成份分析就失真？原來都是低能量X光吸收效應在搗蛋。了解並克服這一問題，對於提高元件可靠性和成份分析的準確性至關重要。本文將深入探討這一現象，一解TEM/EDS中輕元素分析失真之謎…
在半導體製程接近極限之際，材料分析成為突破瓶頸的關鍵，業界經常使用電子顯微鏡搭配X光能量散佈能譜儀(EDS)解析微奈米材料。但EDS的能量解析度較低，容易造成能峰重疊和偽訊號兩大問題，該如何判讀EDS能譜，才能解析出正確的材料成分分析結果？
差排軌跡 在晶片製造過程中是一個相當棘手的問題，這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流，進而嚴重影響元件的可靠性。TEM是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具……
對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。究竟TEM是運用什麼原理來解析的呢?
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