電子背向散射繞射 (EBSD) 是電子顯微鏡 (EM) 的非破壞性分析技術。高能電子束與樣品晶格交互作用後，繞射形成菊池線圖，透過資料庫比對，可解析晶體的微觀結構，分析其晶粒尺寸、晶格、晶界、織構、應變等訊息
iST 宜特能為你做什麼
EBSD(Electron Backscatter Diffraction)是一種研究結晶體微觀結構的技術，宜特可以協助客戶分析材料的晶粒相關資訊(晶粒尺寸、形貌、數量與方向)、結晶相鑑定、織構(結晶優選方向)、晶界…等資訊，進而幫助客戶優化材料的選擇和製程改良。
iST 宜特服務優勢
案例分享
銅-銅結構在特定溫度及壓力下鍵合製程的再結晶結果。
先進封裝的TSV 晶格方向分布
銅柱的晶粒與晶界分布圖
銅柱的晶粒尺寸統計表
銅柱的相分佈圖
鑄鐵的晶格方向、相鑑定與分佈
輾軋工件的晶格方向及應變分布
- 半導體：IC製程、先進封裝。
- 金屬、合金：銅、鐵、鋁、鎳金屬/合金…等。
- 介金屬化合物：銅基、鎳基、鈦基…等IMC。
- 陶瓷：ITO、氧化鋁、氧化鋯、SiC、WC…等。
- 薄膜：具結晶之鍍層
- 礦物
Oxford Symmetry EBSD Detector
| Detection Limit | Grain size>20nm |
|---|---|
| High Speed (pps) | 4500 |
| High Resolution (pixels) | 1244x1024 |
| High Angular resolution (Deg.) | 0.05． |
- 半導體
- 金屬加工
- 航太工業：鋁件、葉片、閥門…等。
- 汽車工業：葉片、閥門…等。
- 地球科學