首頁 Service 奈米探針電性量測( Nano probe) 奈米探針電性量測( Nano probe) 2020-12-08by edmund 透過SEM顯微鏡的極小曲率半徑探針,搭接IC內部線路或接觸層(Contact Layer),使其外接電性量測設備,藉此輸入訊號並量測電特性曲線;另外,亦可利用SEM電子束特性,進行相關應用分析,包括EBIC電子束感應電流(Electron Beam Induced Current)、EBAC電子束吸收電流(Electron Beam Absorbed Current )、EBIRCH電子束感應阻抗偵測 (Electron Beam Induced Resistance Change)。 iST 宜特能為你做什麼 1. 在SEM真空環境下進行電特性量測,可避免外界環境的雜訊干擾。對於半導體元件的故障分析,以及元件在奈米尺度下的研發,提供直接且快速的資訊。 2. 在IC內部線路層或接觸層(Contact layer)電性量測發現異常後,可在同一台設備切換量測模式,直接確認異常位置。 iST 宜特服務優勢1可依不同需求,快速切換功能,同時進行量測與定位異常位置。 2針對先進製程之元件,搭配SEM高倍率電子顯微鏡進行精準量測,可量測到7奈米(nm)製程。 案例分享Nano Probe 奈米探針電性量測EBIC 電子束感應電流EBAC電子束吸收電流 IC樣品去層至接觸層(Contact Layer)後,在SEM真空環境下進行電性量測。 使用EBIC於接觸層(Contact Layer)定位異常點,提高異常點定位精準度。 使用EBAC找出電路之開路(Open)異常位置。 應用範圍 元件電特性分析 元件品質及故障分析 聯絡窗口 | 雷先生/Rex | 電話:+886-3-5799909#6760 | email: web_EFA@istgroup.com 您可能有興趣的其他服務 半導體元件參數分析(I-V Curve) 點針訊號量測(Probe) 原子力顯微鏡(AFM) IC 層次去除 (Delayer) 穿透式電子顯微鏡 (TEM)