首頁 IC發生EOS,燒毀區如何找?

IC發生EOS,燒毀區如何找?

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IC發生EOS,燒毀區如何找?

by ruby

發佈日期:2018/6/14
發佈單位:iST宜特

系統廠組裝成品發生燒毀,送回IC設計端,說是EOS有問題,
身為IC設計者的您,該如何速找燒毀區,快速進行電路修改?

靜電無所不在,當元件遇上了超過所能負荷的電壓或電流時,元件很容易就燒毀,造成EOS (Electrical Over Stress,過度電性應力)問題。

成品廠出貨在即,組裝廠壓著IC設計快點給出Solution(解決方案),身為IC設計者的您,該如何速找燒毀區,以便進一步進行電路設計修改? 本月宜特小學堂,將手刀奉上經典案例,簡單三步驟,讓您元件EOS異常點無所遁形。

第一步驟 : 尋位置

在元件通電的狀態,且不破壞樣品的原貌下,利用Thermal EMMI故障點熱輻射傳導的相位差,偵測封裝的故障點,並快速定位故障點XYZ座標位置。

圖說: Thermal EMMI影像

第二步驟 : 找脫層

EOS問題的元件多半帶有高溫毀損,易將該區的IC表面及封裝層擊傷,因此在EOS位置容易掃出脫層現象。利用非破壞SAT超音波的方式進行掃描,找出封裝體脫層位置與Thermal EMMI故障點位置一致。

圖說: SAT影像

第三步驟 : 取晶粒

在針對SATThermal EMMI故障點位置進行取晶粒(die)後,再利用OM數位顯微鏡進行外觀檢查,即可快速正確地找出EOS燒毀區域是在 Die表面與黑膠之間。

圖說:取晶粒(die)及OM驗證

本文與各位長久以來支持宜特的您,分享經驗,若您任何封裝元件EOS異常狀況不知如何分析,或是對相關知識想要更進一步了解細節,歡迎洽詢+886-3-579-9909 分機6795 張小姐│Email: web_ise@istgroup.com