首頁 技術文庫 3D IC Short能用傳統電性工具定位找Defect,但遇到IC Open怎麼解?

3D IC Short能用傳統電性工具定位找Defect,但遇到IC Open怎麼解?

發佈日期:2026/7/14 cowos open defect
發佈單位:iST宜特

cowos open defect

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在CoWoS、3D IC等先進封裝時代,身為故障分析(FA)工程師的你,是否正陷入這種崩潰循環:「晶片異常了,明明看得到Short(短路),卻完全抓不到Open(開路)!」

不可否認,傳統2D電性工具(如InGaAs、OBIRCH、EMMI 等)在處理平面晶片的短路與漏電上,依然是非常強大且不可或缺的定位利器。

然而,面對錯綜複雜的3D疊層結構,這些傳統電性工具只能用Hot Spot(熱點)「暗示、猜測」短路可能發生在IC晶片的下方,但受到晶片的金屬或封裝材質影響,熱能散成一團,根本分不清這團熱點底下到底是哪個異常故障點,讓人好崩潰。

3D結構下,傳統2D電性定位的三大瓶頸:

一、熱點誤導:
光學系統偵測之熱點會因材料性質引起熱導影響,而無法精確定位單一失效位置或鎖定特定層次。

二、訊號干擾:
疊層晶片間的結構串擾與埋藏缺陷,常掩蓋真正的根本原因。

三、資訊不足:
傳統正背面影像技術僅提供二維(X, Y)異常資訊,無法應對多層封裝的 3D (X, Y, Z) 精確定位需求。

 

這種過去只能靠經驗碰運氣「盲切」的FA困境,不僅耗時、成功率低,更嚴重拖累了新產品的研發與上市時程。

解方來了!與傳統工具完美互補,重新定義先進封裝的診斷標準

為了解決業界痛點,宜特科技率先與新世代異常定位設備商-德國QuantumDiamonds強強聯手,在台合作開闢全亞洲首處「量子鑽石顯微鏡 (QDm)」Demo驗證服務!

有別於傳統工具,QDm核心原理是利用鑽石內數十億個氮-空位 (NV) 中心,將磁場高度差轉為光學訊號。透過偵測「磁場與電流」,它能以非破壞性的方式直接穿透封裝材料,結合佈線資訊 (Layout information),可將「電流路徑全面視覺化」,不僅可明確觀察到短路(Short)路徑,過去讓人束手無策的「開路 (Open)」與高低電阻異常,現在都能精確定位,加速決策。

QDm還可以跟傳統電性工具合作,把傳統電性工具量測出來模糊但具參考價值的Hot Spot,精準重疊在QDm拍到的「清晰金屬線路」正上方。工程師就能一眼鎖定那條嫌疑最大的金屬線,進行後續的物性失效分析(PFA)精準切割,樣品製備成功率飆升。

量子級3D故障定位,強大規格一覽:

cowos open defect 量子鑽石顯微鏡(QDM)內部原理圖 (圖片來源:QuantumDiamonds) • 高精度定位:XYZ軸定位精度最高可達1.4μm。 • 極高靈敏度:可精確偵測至100 nA等級的微弱電流。 • 廣闊視野與高效:具備3 mm x 3 mm大範圍視場,平均量測時間僅需 5分鐘!

圖一:量子鑽石顯微鏡(QDM)內部原理圖
(圖片來源: QuantumDiamonds

  • 高精度定位:XYZ軸定位精度最高可達1.4μm。
  • 極高靈敏度:可精確偵測至100 nA等級的微弱電流。
  • 廣闊視野與高效:具備3 mm x 3 mm大範圍視場,平均量測時間僅需 5分鐘!

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