簡單五步驟 晶片真偽速現形

發佈日期:2022/5/10真假晶片
發佈單位:iST宜特

市場晶片荒未解,假IC猖獗流竄,真偽晶片實在難辨,採購方該如何是好?

「舊元件回收,包裝後當新的賣」、「低規格裸Die,被封裝在高規格的Package出貨」、「低規元件編號抹除,重新打上更高規格元件編號」,以上狀況,在晶片通路市場一直時有所聞,此問題在2021年更加猖狂,因Covid-19疫情,在家辦公等數位轉型趨勢加速擴大,全球歷經了一場始料未及的「晶片荒」,影響擴及個人電腦(PC)、手機、資料中心及其他終端消費型電子產品。來到2022年,消費型晶片短缺現象已逐步緩解,但工業用及車用IC缺貨的問題仍就存在。當不肖晶片通路商拿假IC魚目混珠充當真品販賣,劣質晶片使得產品良率亮紅燈,進而衝擊公司信譽與形象,採購方該如何是好?

該如何解決此狀況呢? 在宜特實驗室累積多年厚實的半導體驗證分析經驗裡,我們歸納出鑑別晶片真偽可以留意的內容,包括元件編號、日期、製造商、焊接腳等外觀/封裝型式,以及內部IC打線、晶粒(Die) 尺寸,更深入的確認電性特徵等,簡單五步驟的分析流程,讓晶片是真是假速現形。

真假晶片

真假晶片

真假晶片

圖一:晶片真偽分析解決方案五步驟

  • 第一步驟 : 外觀檢查

    透過3D OM,確認樣品的外觀、厚度、標記(marking)、流水號、封裝樣式等是否相同(圖二)

    真假晶片

    圖二: 透過3D-OM,確認marking及封裝材料的各項參數。

  • 第二步驟 : 打線確認

    藉由2D-XRay檢查樣品內部的打線或封裝型式是否相同。如果有機會照到Die,也可以量測其尺寸與厚度來進行比較(圖三)。

    真假晶片 打線確認

    圖三: 透過2D X-Ray,確認打線、Die尺寸與厚度。

  • 第三步驟 : 電性量測

    將所有引腳分別接地(Pin to GND),或進行I-V Direct Current(DC)量測。例如我們可以設定固定電壓範圍及限電流,快速量測比對樣品各腳位的電性特徵(圖四)。

    真假晶片

    圖四: 透過I-V Curve,確認各腳位的電性特徵是否有差異。

  • 第四步驟 : 晶片開蓋

    將樣品開蓋去除黑膠(Decap),藉以觀察Die面的電路佈局狀況、Die的尺寸與打線的線徑,同時,也可以檢查晶片製造商的logo是否相同(圖五)。

    真假晶片

    圖五: decap後的各項參數量測

  • 第五步驟 : 製程比對

    使用雙束聚焦離子束(Dual Beam FIB)工具,在欲比對的樣品相同處的密閉環( seal ring),或指定位置進行斷面(剖面)觀察,藉以確認製程資訊是否相同 (圖六)。

    真假晶片 製程確認

    圖六:透過DB-FIB,確認樣品的製程資訊。

本文與長久以來支持宜特的您,分享經驗,若您有晶片真偽分析需求,或是想要更進一步了解細節,請不要猶豫,歡迎電洽+886-3-579-9909分機6775 施先生(CY Shih); Email: IST_FA_IAD@istgroup.commarketing_tw@istgroup.com