首頁 技術文庫 宜特跨攻MOSFET晶圓後段製程整合服務

宜特跨攻MOSFET晶圓後段製程整合服務

發佈日期:2018/06/29
發佈單位:iST宜特

MOSFET元件供不應求,偏偏IDM產能滿載,交期大幅拉長怎麼辦?
好不容易完成了晶圓薄化與表面處理,但後續又得將晶圓運送到其他地方做CP和切割,有沒有一次就做到好的廠商?

隨著車用電子產品功能愈來愈多元,對於低功耗的要求也愈來愈高,MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率元件。面對客戶龐大需求,目前市面上卻產能不足,而偏偏從「晶圓量產」後到「封裝」之間,缺少一個重要的橋段-晶圓薄化與表面處理。

宜特在車用可靠度驗證分析本業上,已做到亞洲龍頭,然而在服務客戶的同時,發現了此缺口,若將這段填補起來,以一站式完成晶圓薄化、表面處理、CP(Chip Probe)封裝前測試,乃至WLCSP(晶圓級晶粒尺寸封裝)所需的DPS(Die Processing Service)裸晶切割包装服務,可加速MOSFET元件出貨速度,並且降低晶圓轉運過程的風險。

於是,介於晶圓代工(Front-End)到封裝(Back-End)之間的製程代工量產服務-「MOSFET晶圓後段製程整合服務」就此誕生,這一段製程需要對晶圓進行特殊加工處理。因此,宜特除了提供主流八吋晶圓外,亦涵蓋六吋晶圓處理,服務項目包括正面金屬化(Front Side Metallization, FSM)及BGBM晶圓薄化: 背面研磨(Backside Grinding, BG)、背面金屬化(Backside Metallization, BM);值得一提的是,針對正面金屬化製程(FSM)的部份,提供的化鍍和濺鍍服務,是目前市場上唯一一家可同時提供兩項完整服務的公司,藉此為客戶打造整體性解決方案。

而宜特除了針對晶圓處理外,並向下結合宜特子公司創量科技(舊名:標準)的CP(Chip Probe)封裝前測試、晶圓級晶粒尺寸封裝(WLCSP)與DPS (Die Processing Service)裸晶切割包裝服務,以降低晶圓轉運過程的風險,提供「MOSFET晶圓後段製程整合服務」最完整的一站式解決方案。

bgbm 晶片製造流程圖

圖說:圖為半導體製造流程,宜特結合子公司標準科技,可提供從晶圓製程處理一路到後段CP、WLCSP與DPS一站式解決方案(參見圖內綠底綠字)。

本文與各位長久以來支持宜特的您,分享經驗,若您對MOSFET晶圓後段製程整合服務,想要更進一步了解細節,歡迎洽詢+886-3-579-9909 分機8802 游先生│Email: web_SP@istgroup.com