ウェハー前工程工場がウェハーテスト(WAT)実施後、アセンブリを行う前、どのようにウェハーの薄化と裏面メタライゼーションを行えばよいのだろうか (BGBM)？
ウェハーの薄化と裏面メタライゼーションを何とか完成させたとしても、更にウェハーを運搬して別の場所でCPテストおよびダイシングを行わねばならない。これらを一元的に処理できるパートナーはいないものだろうか (BGBM)？
MOSFET表面金属化プロセス(FSM)の2種類のオプション-スパッタリングV.S. 無電解メッキ宜特は、専門スタッフおよび先進のプロセスを導入し、最短時間でウェハーの薄化と裏面メタライゼーションを行います (BGBM)
- 多様なグラインディング・プロセス・ソリューション
- 多様な裏面メタライゼーションに対するソリューション
- 裏面Ag膜厚最大15umまでをサポートする、多様な表面メタライゼーション・プロセス・ソリューション
- 広範囲をカバーする完全なワンストップ・サービス
サービスの特徴
半導体製造プロセス
宜特は子会社の宜錦科技と協力して、ウェハー製造プロセスを後工程CP、WLCSPおよびDPSまでワンストップソリューションを提供いたします(図のグリーンバックグリーンの文字を参照)。