Wafer Thinning
研磨ホイールを使って高速かつ精密な研磨 (Grinding) 実施後、エッチング液によって表面のエッチングを行い、研磨および応力で発生した破砕層を除去します。
一般研磨 (Wafer thining/Non-Taiko Grinding)の流れ
顧客のウェハーの入荷検査完了後、ウェハーの特性に従って、フロントエンドウェハーファンドリーでの製造による保護層に必要なテープを確認後、テーピング (Taping)を実施します。その後、一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)を行い、完了後、背面ウェットエッチング(Backside Wet Etching)を実行します。最後に、厚さ計測 (Measurement) 後、出荷検査を行います。
iSTの強み
- DISCO全自動装置を採用、精密に研磨を制御。
- バッチ式および枚葉式のエッチング装置に対応、顧客のN型または P型ウェハーの要求に応じてポリッシングまたはテクスチャリングを行います。
- 非接触式の光学計測は、高精度で一般業界に使用されるダイヤルゲージ (Dial Gauge)に勝っています。
- エンジニアチームの背景は多様で、フロントエンドウェハーファンドリー、ウェハー薄化専門家、バックエンドパッケージ工場経験者が含まれ、フロントからバックエンドまでの製造プロセスの統合および分析が可能であり、顧客の研究開発を加速し、問題のソリューションを提供、安定した量産の実現に協力いたします。
事例紹介
研磨後のウェハー:研磨痕が明白
エッチング後のウェハー:表面のテクスチャリング完了
- 現在の厚さ設定: ≧100um、顧客の要求に合わせて厚さ調整対
- 8インチ、6インチ、P型 / N型ウェハーに対応