iSTの強み
事例紹介
- 半導体部品の故障分析(14nmレベルのプロセスまで可能)
- 半導体生産ラインのプロセス異常の分析
- エキピタシーと薄膜の構造分析
- 電位コントラストテスト
- 通過型電子顕微鏡試料の作成
- ナノレベル構造の作成
FEI Helios NanoLab 660
- サンプル最大サイズ:150mm
- 150mm2 SDD EDSセンサーにより即時EDS分析が可能です。
- MultiChem気体システムにより、6種類の沈積またはstain気体を通すことができます。
- 観測範囲の幅が100umを超える、または深度が50umを超える場合、切削速度が高速なPlasma FIBでの対応を提案いたします
E-beam | I-beam | |
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Resolution | 0.6 nm at 15kV 0.7 nm at 1 kV | 4.0 nm at 30 kV |
Accelerate Voltage | 20 V – 30 kV | 0.5 kV – 30 kV |
Probe current | 0.8 pA – 100 nA | 0.1 pA – 65 nA |
