Dual-beam FIBユニットは、イオンビームでサンプルを切断すると同時に、電子ビームで断面を観察してEDXの成分分析を行います。
iSTのサービス
超高解像度のイオンビームおよび電子ビームを備えたDual-beam FIBは、サンプルの微細構造に対してナノレベルでの定位と観察を行います。イオンビームの最大電流は65nAであることから、高速切削が可能となり、データ取得の時間を短縮することが出来ます。
iSTの強み
事例紹介
H660の優れたE-beam解像度により、表示部分の3nmのvoidとgate oxideがはっきり見えます。
150mm2大面積のEDSセンサーは優れたの空間解像度により、切断しながら撮影と分析を行うことが可能になりました。
専門の故障分析チームが完全なEFA > PFA > FIB cross-sectioningフローを実現します。
特殊サンプル作成の手法（研磨+ Ion milling）を採用し、広範囲の銅結晶粒の影像を迅速に得られます。
最も薄いもので厚さ約15nmのTEM試料作成が可能です。
- 半導体部品の故障分析（14nmレベルのプロセスまで可能）
- 半導体生産ラインのプロセス異常の分析
- エキピタシーと薄膜の構造分析
- 電位コントラストテスト
- 通過型電子顕微鏡試料の作成
- ナノレベル構造の作成
Thermo Fisher Scientific Helios 5
- サンプル最大サイズ：150mm
- 150 mm2 SDD EDSセンサーにより即時EDS分析が可能です。
- 高速演算EBSD検出器を搭載し、成分分析に加え、試料の結晶性に関する情報も同時に取得可能
- 観測範囲の幅が100umを超える、または深度が50umを超える場合、切削速度が高速な
- Plasma FIBでの対応を提案いたします
| E-beam | I-beam | |
|---|---|---|
| Resolution | 0.6 nm at 15 kV 1.2 nm at 1 kV | 4 nm at 30 kV |
| Accelerate Voltage | 350 V - 30 kV | 500 V – 30 kV |
| Probe current | 0.8 pA – 100 nA | 1.1 pA – 65 nA |
