高真空の環境で、アルゴン原子 (Ar) が解離した後、二次電子およびアルゴン(Ar)イオンが生成されます。ターゲット上のマイナス電荷を利用して、アルゴン (Ar) イオンをターゲットに高速で衝突させ、ターゲット上の金属をウェハー表面に堆積させます。
MOSFET表面金属化プロセス(FSM)の2種類のオプション-スパッタリングV.S. 無電解メッキiSTのサービス
宜特は、表面金属スパッタリング堆積 (Metal Sputtering Deposition) に対応、チタン／ニッケル(バナジウム) ／銀 (Ti / NiV / Ag) といったボンディングパッド金属層の精製が可能で、ボンディングパッド配置を設定できます。
表面金属スパッタリング堆積 (Metal Sputtering Deposition)製造プロセス
顧客のウェハーが入荷検査 (IQC)終了後、顧客からの指示された種類および厚さに従ってスパッタリング装置において金属堆積(Sputtering)が行われます。スパッタリング後、顧客の指定されたフォトマスク図形に従って、リソグラフィーにおいて残したい金属図形を設定後 (Photo)、金属エッチング (Metal Etching)を行い、最後にフォトレジスト剥離 (PR Strip) 後、出荷検査 (OQC)に出されます。
iSTの強み
- チタン／ニッケル(バナジウム) ／銀 (Ti / NiV / Ag)のアルミパッド (Al Pad)への高選択率エッチングを提供、露出するアルミパッド (Al Pad) の厚さ損失を最低限にとどめ、顧客によるミックスボンド（Mix-bond）作業を容易にし、バックエンドでのパッケージコストを低減させます。
- 専門のリソグラフィー工程チームが、顧客によるテープアウト/ジョブファイル（Tape Out / Job File）のチェックをサポート、続くフォトマスク作業も円滑に行えます。
- エンジニアチームの背景は多様で、フロントエンドウェハーファンドリー、ウェハー薄化専門家、バックエンドパッケージ工場経験者が含まれ、フロントからバックエンドまでの製造プロセスの統合および分析が可能であり、顧客の研究開発を加速し、問題のソリューションを提供、安定した量産の実現に協力いたします。
事例紹介
金属スパッタリング堆積 (Metal Sputtering Deposition)によって完成された前側金属化製造プロセス。ニッケルバナジウムおよびチタンのアンダーカット(Under Cut)は0.22umまで抑えられます。
- 現在の金属組成：チタン／ニッケル･バナジウム／銀 (Ti / NiV / Ag)，顧客の要求に合わせて厚さを調節。
- 8インチウェハーに対応
- チタン／ニッケル･バナジウム／ 銀(Ti / NiV / Ag) 成長の均一性が最良
- 極小のアンダーカット（Under Cut）