Plasma FIB（P FIB）の原理はDual Beam FIB（DB FIB）とよく似ていますが、下記のような違いがあります。
| イオン源 | Xe（キセノンイオン）Plasma | Ga+ （ガリウムイオン） |
|---|---|---|
| エッチング速度 （Probe current） | 1.5pA~1.3μA | 1.1pA~65nA |
- DB FIBのイオン源Ga+はサンプル表面に付着しやすいため、P FIBではXeを使用してサンプルのGa汚染を軽減することができます。
- P FIBは広範囲の面積を高速で処理でき、エッチング速度は20倍に向上しました。
iSTのサービス
iSTは業界最新のFEI Helios Plasma FIB （PFIB）によりエッチング速度を20倍に向上させました。また、高解像度のSEMにより数百μmの広範囲内で、ナノレベルの特徵物または異常点を正確に定位します。
小範囲で局所的なCross section分析を行う場合には、Dual-Beam FIBを使用して切断しながら撮影することで迅速に構造画像を得ることができます。しかし広範囲の構造の観察（断面>100umまたは 深度>50um以上）ではPFIBを推薦します。エッチング速度が速いだけでなく、従来の研磨方式使用の際の研磨応力により生じる構造破損と定位正確性の問題を避けることができるからです。
事例紹介
はんだボールの完全な影像
局部の観察も可能です
PFIBはエッチング効果に優れ、範囲も大きいため、迅速かつ完全に複数のTSV構造を得ることができます。
PFIBはプラズマエッチング（Plasma etching）により、完全に大面積の層除去を行います。
- 広範囲の構造観察（>100μm以上）： 3D IC、シリコン貫通構造（TSV ）、はんだボール（Solder ball）、銅ピラー（Cu pillar）、パッケージ製品（WLCSP FA）など。
- Delayerの応用 （16nm先進プロセス以下）。
FEI Helios Plasma FIB
- E-beam解像度：1.0nm @ 2kV
- I-beam解像度：＜25nm @ 30kV
- I-beam最大電流：1.3uA