TEMは主に元素分析に用いられ、高エネルギー電子ビームを使用して画像を得ることにより、影像解像度が0.1nm原子レベルまで可能な分析装置です。
iSTのサービス
材料の顕微構造、晶体欠陥、化学成分を分析します。 EDS、HAADF（ZC）、応力分析などにより、原子レベル構造と成分の情報を得、製造プロセスにおける問題を解決します。
iSTの強み
事例紹介
高倍率原子影像
先端プロセスFINFET影像
28nm HKMGトランジスターのTEM影像
28nm HKMGトランジスターのEDS mapping
28nm HKMGトランジスターのEDS line-scan
3D V-NAND Flash構造分析
3D V-NAND Flash EDS line scan分析
LED QWおよびn spacerエキピタシー構造
LED QW構造のEDS元素分析
Horizontal direction
Vertical direction
- 顕微構造分析（ラチス影像）
- 結晶欠陥分析
- 元素成分分析
- 薄膜応力分析
- 電子回折図分析
- 不純物および汚染源分析
- 影像の自動計測・解析
- 半導体産業
- LED産業
- 光電産業
- MEMS産業
FEI Talos-F200
| 影像 | TEM resolution: 0.1nm STEM resolution: 0.16nm |
| EDS | Detector: SDD 30 mm2 x 4 Solid angle: 0.95 |
| 他の機能 | Piezo stage + DCFI 4K x 4K CCD |
JEOL JEM-2800F
| 影像 | TEM resolution: 0.1nm STEM resolution: 0.2nm |
| EDS | Detector: SDD 100 mm2 x 2 Solid angle: 1.7 |
| 他の機能 | Strain mapping 4K x 4K CCD |
JEOL JEM-2100F
| 影像 | TEM resolution: 0.1nm STEM resolution: 0.2nm |
JEOL JEM-F200
| 影像 | TEM resolution: 0.1nm STEM resolution: 0.16nm |
| EDS | Detector: SDD 100 mm2 x 2 Solid angle: 1.7 |
| 他の機能 | Strain mapping 4K x 4K CCD |