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首頁 Service 低圧雷撃テスト

低圧雷撃テスト

量産サービス

MOSFET ウェハーバックエンドプロセス

MOSFET 前側金属プロセス

無電解メッキ (Chemical / Electro-less Plating)
表面金属スパッタリング (Front Side Metal Sputtering Deposition)

MOSFET 裏側研削プロセス

ウェーハの薄化 (Wafer Thinning / Non-Taiko Grinding/Conventional Grinding)

MOSFET 裏側金属プロセス

金属蒸着メッキ(Metal Evaporation Deposition for Backside Metallization)
Ag厚膜プロセス (Thick Ag Process)

バックエンドプロセスターンキーソリューション

チップ・テスト (Chip Probing)
レーザマーキング (Laser Marking)
真空マウンティング (Vacuum Mounting)
TAIKOの除去 (Ring Removal)
ダイ・カッティング (Die Sawing)
フレームテスト (Frame Probing)
テープ＆リール (Tape & Reel)

検証・分析

IC回路修正

回路修正

IC回路修正/ プローブパッド異常検出
新型FIB回路修正（N-FIB）
新型WLCSP回路修正技術

試料作成・前処理工程

高速パッケージ

ウェハ―ダイシング (Wafer Dicing)
ワイヤ・ボンディング/パッケージ

SMT表面実装作成/量産

SMTテスト用サンプル作成/量産

故障解析

電気特性調査

半導体部品パラメーター分析
IVカーブ特性測定（IV Curve）
プローブおよび探針信号測定（Probe & Nano probe）
ESD保護回路のTLP電気特性測定
導電性原子間力顕微鏡(C-AFM)

非破壞分析

高解像度デジタル顕微鏡（3D OM）
超音波探傷検査（SAT検査）
X線検査（2D X-ray）
解像度3D X-Ray顕微鏡

サンプルの前処理

ICモールド開封（Decap）
IC回路レイヤー剥離（Delayer）
横断面/背面研磨（Cross-section & Backside）
イオンビーム断面研磨（CP）

故障点検出

エミッション顕微鏡（EMMI）
ヒ化ガリウムインジウムエミッション顕微鏡（InGaAs）
光ビーム加熱抵抗変動異常検出（OBIRCH）
Thermal EMMI (InSb)

競爭力分析

IC構造／コスト分析

信号認証試験

有線信号認証試験

HDMIのテスト／デバッグ／認証
HDCPのテスト／デバッグ／認証
Display Port^TMのテスト／デバッグ／認証
VESA DisplayHDR／DisplayHDR True Black Pre-Test／デバッグ／認証
HDRハイダイナミックレンジ影像補正テスト
特殊有線信号テスト
USB Type-Cのテスト／デバッグ／認証

設計品質管理 (DQM)

互換性テスト（Compatibility Test）
ソフトウェア成熟度テスト（Software Maturity Test）
ディスプレイ　インターフェース色彩輝度補正テスト

材料分析

サンプル前処理

デュアルビームFIB (Dual Beam FIB)

構成観察

走査型電子顕微鏡（SEM）
通過型電子顕微鏡（TEM）
デュアルビームFIB (Dual Beam FIB)
デュアルプラズマイオンビーム（Plasma FIB）

表面分析

白色光干渉計（WLI）
原子間力顕微鏡（AFM）
X線回折(XRD)
二次イオン質量分析法(SIMS)
X線光電子分光装置（XPS/ESCA）
オージェ電子分光装置（AES）
フーリエ変換赤外分光計(FTIR)

熱分析

動的機械分析装置(DMA)
示差走査熱量計(DSC)
熱重量分析 (TGA)
熱機械分析装置（TMA）

成份分析

走査型電子顕微鏡（SEM）
通過型電子顕微鏡（TEM）
X線光電子分光装置（XPS/ESCA）
オージェ電子分光装置（AES）

信頼性試験

部品信頼性検証

IC加速環境圧力テスト

湿度感受性等級試験
温度・湿度試験

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作動寿命試験
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パッケージ線装着強度試験
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機械応力試験
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