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首頁 Service 作動寿命試験

作動寿命試験

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MOSFET ウェハーバックエンドプロセス

MOSFET 前側金属プロセス

無電解メッキ (Chemical / Electro-less Plating)
表面金属スパッタリング (Front Side Metal Sputtering Deposition)

MOSFET 裏側研削プロセス

ウェーハの薄化 (Wafer Thinning / Non-Taiko Grinding/Conventional Grinding)

MOSFET 裏側金属プロセス

金属蒸着メッキ(Metal Evaporation Deposition for Backside Metallization)
Ag厚膜プロセス (Thick Ag Process)

バックエンドプロセスターンキーソリューション

チップ・テスト (Chip Probing)
レーザマーキング (Laser Marking)
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フレームテスト (Frame Probing)
テープ＆リール (Tape & Reel)

検証・分析

IC回路修正

回路修正

IC回路修正/ プローブパッド異常検出
新型FIB回路修正（N-FIB）
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試料作成・前処理工程

高速パッケージ

ウェハ―ダイシング (Wafer Dicing)
ワイヤ・ボンディング/パッケージ

SMT表面実装作成/量産

SMTテスト用サンプル作成/量産

故障解析

電気特性調査

半導体部品パラメーター分析
IVカーブ特性測定（IV Curve）
プローブおよび探針信号測定（Probe & Nano probe）
ESD保護回路のTLP電気特性測定
導電性原子間力顕微鏡(C-AFM)

非破壞分析

高解像度デジタル顕微鏡（3D OM）
超音波探傷検査（SAT検査）
X線検査（2D X-ray）
解像度3D X-Ray顕微鏡

サンプルの前処理

ICモールド開封（Decap）
IC回路レイヤー剥離（Delayer）
横断面/背面研磨（Cross-section & Backside）
イオンビーム断面研磨（CP）

故障点検出

エミッション顕微鏡（EMMI）
ヒ化ガリウムインジウムエミッション顕微鏡（InGaAs）
光ビーム加熱抵抗変動異常検出（OBIRCH）
Thermal EMMI (InSb)

競爭力分析

IC構造／コスト分析

信号認証試験

有線信号認証試験

HDMIのテスト／デバッグ／認証
HDCPのテスト／デバッグ／認証
Display Port^TMのテスト／デバッグ／認証
VESA DisplayHDR／DisplayHDR True Black Pre-Test／デバッグ／認証
HDRハイダイナミックレンジ影像補正テスト
特殊有線信号テスト
USB Type-Cのテスト／デバッグ／認証

設計品質管理 (DQM)

互換性テスト（Compatibility Test）
ソフトウェア成熟度テスト（Software Maturity Test）
ディスプレイ　インターフェース色彩輝度補正テスト

材料分析

サンプル前処理

デュアルビームFIB (Dual Beam FIB)

構成観察

走査型電子顕微鏡（SEM）
通過型電子顕微鏡（TEM）
デュアルビームFIB (Dual Beam FIB)
デュアルプラズマイオンビーム（Plasma FIB）

表面分析

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原子間力顕微鏡（AFM）
X線回折(XRD)
二次イオン質量分析法(SIMS)
X線光電子分光装置（XPS/ESCA）
オージェ電子分光装置（AES）
フーリエ変換赤外分光計(FTIR)

熱分析

動的機械分析装置(DMA)
示差走査熱量計(DSC)
熱重量分析 (TGA)
熱機械分析装置（TMA）

成份分析

走査型電子顕微鏡（SEM）
通過型電子顕微鏡（TEM）
X線光電子分光装置（XPS/ESCA）
オージェ電子分光装置（AES）

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