為因應電子產品對效能需求，因此有了3D晶片堆疊技術產生。但問題來了，這樣的技術所產生的元件，在失效後分析也更加困難，傳統的封裝元件只需在XY面的2D平面定位，即能有效找出失效位置，但3D元件還需要考量到Z軸位置，且晶片在上下堆疊重疊下，更不容易找到失效位置…
常用來判斷P/N well的方式，是將晶片染色 (stain)後，再利用SEM(掃描式電子顯微鏡)拍攝其寬度、深度及量測磊晶層厚度，但是SEM的電子影像為黑白圖像，無法有確切的數據或顏色可以分辨P/N well，往往需要自行判斷與猜測…
Plasma FIB，不僅擁有Dual-Beam FIB雙槍設計邊切邊拍，針對大範圍結構觀察，可完整呈現欲觀察之結構，蝕刻效率更是Dual-Beam FIB的20倍以上..
以往在設備的極限下，包括解析度不夠好、倍率較低，使得上述有些微小的異常點，不容易用X-Ray找到，因而無法短時間釐清問題與改善解決，宜特引進業界解析度最好、倍率最高、還可360度拍攝零死角影像環繞的3D X-Ray…
