首頁 技術文庫

技術文庫

首頁 技術文庫

技術文庫

by admin
IC發生EOS,燒毀區如何找?
2018-06-14

當元件遇上了超過所能負荷的電壓或電流時,元件很容易就燒毀造成過度電性應力的問題,身為IC設計者的您,該如何速找燒毀區,進一步進行電路設計修改….

如何釐清是否為封裝缺陷造成IC異常
2018-03-27

IC出現漏電、短路等異常電性問題,來宜特進行IC開蓋(De-cap),準備做InGaAs、EMMI、OBIRCH等電性量測前,卻發現IC開蓋後,所有的電性異常問題都消失了….

什麼時機點,適合用3D X-ray找Defect?
2017-09-28

宜特繼去年引進360度拍攝零死角影像環繞的ZEISS Xradia 520 Versa高解析度3D X-ray,至今一年多,已替客戶解決1023項案件….

可靠度測試後,元件高電阻值異常,失效點如何找
2017-08-17

電腦模擬元件上板應力匹配正常,可靠度實測卻過不了,是元件與板材匹配問題?還是封裝錫球的耐受度不夠?一個以晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)的元件,進行上板可靠度驗證後….

如何速找IC漏電源(Hot Spot)
2017-05-23

通訊晶片和以矽元素組成的晶片相比,最大不同在於通訊元件封裝形式較單純,使用層數較少,在找失效點前的樣品製備上,不適合用delayer方式..

3D 元件失效,用這三步驟,defect 立馬現形
2017-03-29

為因應電子產品對效能需求,因此有了3D晶片堆疊技術產生。但問題來了,這樣的技術所產生的元件,在失效後分析也更加困難,傳統的封裝元件只需在XY面的2D平面定位,即能有效找出失效位置,但3D元件還需要考量到Z軸位置,且晶片在上下堆疊重疊下,更不容易找到失效位置…

  • 1
  • 2