先進封裝材料百百種，多數材料特性都與「熱」脫離不了關係，到底熱特性對元件壽命與穩定性影響有多大？如何運用熱分析工具量測熱特性數值呢?
當主流的半導體材料-矽(Si)無法滿足高速傳輸、大電壓的需求時，找出最佳的寬能隙材料替代刻不容緩，但該如何量測能隙？選出寬能隙材料後，晶體堆疊瑕疵又該如何觀察呢？
當摩爾定律走到盡頭，先進封裝能否成功發展？關鍵之一在其中的材料晶體結構如何掌握晶體結構密碼？就靠先進分析利器－EBSD。本期宜特小學堂，我們將以三大實際案例為您介紹如何用EBSD來分析晶體結構。
TEM自動量測技術，可取代以往傳統手動量測容易因人為誤判，導致數據失真的缺點。宜特最新研發的TEM影像自動量測軟體，快速精準量測關鍵參數，為客戶加速製程開發……
氧化鎵Ga2O3被稱為第四類半導體的原因是，其超寬能隙的特性，相較於相較於第三類半導體碳化矽SiC與氮化鎵GaN，將使材料能承受更高電壓的崩潰電壓與臨界電場。本文將呈現如何應用TEM分析技術鑑定氧化鎵…
在半導體製程中，一旦更換了材料，就必須考慮製程設備是否也需改變，設備變更後所生產的樣品是否堪用、品質是否穩定符合原來IC設計的規格，因此在挑選新材料的開發時期以及確認材料變更後的生產驗證，勢必要進行一連串嚴格的材料分析….