
在半導體製程中,一旦更換了材料,就必須考慮製程設備是否也需改變,設備變更後所生產的樣品是否堪用、品質是否穩定符合原來IC設計的規格,因此在挑選新材料的開發時期以及確認材料變更後的生產驗證,勢必要進行一連串嚴格的材料分析….

晶片結構內部有問題,想要進行切片觀察,方式好幾種,該如何針對樣品屬性,選擇正確分析手法呢?有傳統Grinding;透過機械手法Polish至所需觀察的Layer位置;透過Ion Beam進行切削;每一種分析手法有那些優勢呢? 該如何選擇呢…

在異質整合先進封裝技術中,表面的機械特性與異質材料間界面的附著能力,將影響元件可靠度。如何藉由分析工具,確認異質整合元件材料中Underfill的流變特性,以及金屬銅、介電材料等的材料附著能力與材料接合應力強度?…

當晶片採取BGA或CSP封裝比例增加,錫球間距越小,在執行HAST時,非常容易產生 電化學遷移 ECM 現象,造成晶片於可靠度實驗中發生電源短路異常。此現象時發生到底是樣品製程中哪一道步驟影響後續實驗,還是實驗環境端未控制好?…

若是像2.5D或3D IC等先進封裝樣品,封裝形式屬多晶片,Daisy Chain的設計,將跳脫以往單一晶片搭配一個測試板,而是多晶片搭配在一個測試板的形式,那麼板階可靠度試驗後出現故障後,該如何找 先進封裝焊點異常呢?

半導體大廠先進製程大戰如火如荼展開,重砸資本支出在各項先進製程設備;若要在這場大戰奪得先鋒,關鍵在於產品良率(Yield)是否能快速提升,而先進工藝設備缺陷 ,如何影響良率與如何透過材料分析改善缺陷..