在半導體製程中，一旦更換了材料，就必須考慮製程設備是否也需改變，設備變更後所生產的樣品是否堪用、品質是否穩定符合原來IC設計的規格，因此在挑選新材料的開發時期以及確認材料變更後的生產驗證，勢必要進行一連串嚴格的材料分析….

晶片結構內部有問題，想要進行切片觀察，方式好幾種，該如何針對樣品屬性，選擇正確分析手法呢？有傳統Grinding；透過機械手法Polish至所需觀察的Layer位置；透過Ion Beam進行切削；每一種分析手法有那些優勢呢? 該如何選擇呢…

在異質整合先進封裝技術中，表面的機械特性與異質材料間界面的附著能力，將影響元件可靠度。如何藉由分析工具，確認異質整合元件材料中Underfill的流變特性，以及金屬銅、介電材料等的材料附著能力與材料接合應力強度?…

當晶片採取BGA或CSP封裝比例增加，錫球間距越小，在執行HAST時，非常容易產生 電化學遷移 ECM 現象，造成晶片於可靠度實驗中發生電源短路異常。此現象時發生到底是樣品製程中哪一道步驟影響後續實驗，還是實驗環境端未控制好?…

若是像2.5D或3D IC等先進封裝樣品，封裝形式屬多晶片，Daisy Chain的設計，將跳脫以往單一晶片搭配一個測試板，而是多晶片搭配在一個測試板的形式，那麼板階可靠度試驗後出現故障後，該如何找 先進封裝焊點異常呢?

半導體大廠先進製程大戰如火如荼展開，重砸資本支出在各項先進製程設備；若要在這場大戰奪得先鋒，關鍵在於產品良率(Yield)是否能快速提升，而先進工藝設備缺陷 ，如何影響良率與如何透過材料分析改善缺陷..