對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。究竟TEM是運用什麼原理來解析的呢?
礙於SEM沒有定量電性量測電流的功能，即使在SEM影像偵測到異常電壓對比(VC)時，也無法得知異常點是發生在P接面還是N接面？還是從Bulk(基極)漏電或開路故障? 這時就是出動C-AFM的好時機…
GaN晶片異常，怎麼辦？寬能隙半導體大躍進，就看這篇！GaN氮化鎵晶片往往容易因為場板和常見的RDL的特殊結構，使亮點容易被遮蔽，導致難以發現位於場板或閘極下方的缺陷。為了提高故障分析的成功率，宜特獨家基板移除技術，透過背向分析提升你的故障分析成功率。
AEC-Q100 車規最新改版至Version J，有哪些主要差異？以下我們將以三大面向為您剖析新版AEC-Q100。一、對特定製程與封裝進行定義。此次改版，AEC-Q100特別針對28奈米製程、RF頻率元件的ESD耐受程度，以及FC-BGA封裝測試…
企業在撰寫ESG永續報告書時，對於溫室氣體排放，往往面臨一系列複雜問題，包括排放源識別、資料收集等挑戰。如何滿足ESG報告書的相關要求，讓利害關係人對企業持有積極評價，同時贏得國際品牌廠的認可？ 本期小學堂借鑒宜特近年輔導各類客戶並100%通過審核的豐富經驗，助您順利展開ESG…
為了克服晶片多種材料間中機械特性不匹配問題，「奈米壓痕測試儀」及「奈米刮痕測試儀」為兩個重要的分析工具，除了可分析多層薄膜附著力，亦可搭配後續影像分析技術，如SEM、 DB-FIB或TEM可進一步地分析內部結構變化，找出造成故障的脆弱點位置…