當IC出現故障時，想分析其中一顆元件或Die的異常狀況，又礙於SiP、MCM內部打線太過複雜，將導致進行電性測試時，容易受到其他晶片或元件影響，造成判定困難。如何避開其他元件的干擾，正確判定測試結果…
先進製程的樣品Defect若過於分散，想顧及每個位置，一般研磨手法進行去層風險較高，可能無法兼顧，該如何處理?透過PFIB去層，不僅可以邊切邊拍，針對大範圍的結構觀察，不僅可完整呈現欲觀察之結構，蝕刻效率更是傳統Dual-Beam FIB的20倍以上，可有效縮短分析速率…
同樣產品在不同實驗室進行 ESD測試 ，一家是PASS，另一家卻是FAIL 到底誰對誰錯? 兩次Latch-up試驗供給電壓僅差0.01V，測試結果居然亦是一次PASS、一次FAIL! 為什麼會有如此南轅北轍的結果? …
大型封裝廠對於少量晶片植入封裝體需求，排程交期都較長，甚至不接受少量客製化的封裝體晶片植入作業。如何使用您手邊現有的IC成品，進行開蓋Decap，做成符合您需求的測試治具 /載具，讓您後續能便利且有效進行Final Test…
筆電大廠 聯想、CPU大廠Intel早在2017年提出低溫焊接製程 LTS 為何我們現在需要關注此事? 為何需要用到低溫? 未來幾年LTS真的會成為消費型產品的主流嗎?近期，宜特與德凱宜特接到各大廠前來詢問是否能夠進行LTS驗證測試..
低溫焊錫LTS製程帶來的效益不僅是節能減碳，也能降低電子零組件在高溫焊錫時的失效與不良現象，甚至能夠藉由優化電子工業的電子零部件組裝技術，達到縮減製造流程及營運成本的效果。然而在LTS導入初期還是不免會遇到隱藏性工程問題…..