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破解半導體差排軌跡 TEM技術找出晶片漏電真因
2024-04-16

差排軌跡 在晶片製造過程中是一個相當棘手的問題,這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流,進而嚴重影響元件的可靠性。TEM是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具……

AI與HPC時代 如何以飛針測試提升PCBA品質
2024-03-19

飛針測試 幫助IC研發工程師在 PCB 和 PCBA 階段進行初期品質檢查,迅速釐清零件上板後(PCBA)的異常歸責,節省上市時間和成本。本期宜特小學堂,我們將透過實際案例與您分享,飛針測試的最佳使用時機…

氮化鎵磊晶層差排類型分析唯一利器 如何用TEM解開謎團
2024-02-22

對比前兩大類半導體材料,第三類半導體氮化鎵因製程原料關係,易產生大量的差排缺陷,而差排的密度和種類,又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型,並將差排的密度控制在一定範圍,是第三類半導體發展的重要關鍵。究竟TEM是運用什麼原理來解析的呢?

高階晶片異常點無所遁形 C-AFM一針見內鬼
2024-01-16

礙於SEM沒有定量電性量測電流的功能,即使在SEM影像偵測到異常電壓對比(VC)時,也無法得知異常點是發生在P接面還是N接面?還是從Bulk(基極)漏電或開路故障? 這時就是出動C-AFM的好時機…

靠這招 速找寬能隙GaN晶片異常點
2023-12-05

GaN晶片異常,怎麼辦?寬能隙半導體大躍進,就看這篇!GaN氮化鎵晶片往往容易因為場板和常見的RDL的特殊結構,使亮點容易被遮蔽,導致難以發現位於場板或閘極下方的缺陷。為了提高故障分析的成功率,宜特獨家基板移除技術,透過背向分析提升你的故障分析成功率。

最新車規AEC-Q100改版速讀 揭示車用晶片可靠度驗證關鍵
2023-11-21

AEC-Q100 車規最新改版至Version J,有哪些主要差異?以下我們將以三大面向為您剖析新版AEC-Q100。一、對特定製程與封裝進行定義。此次改版,AEC-Q100特別針對28奈米製程、RF頻率元件的ESD耐受程度,以及FC-BGA封裝測試…