在半導體製程中，一旦更換了材料，就必須考慮製程設備是否也需改變，設備變更後所生產的樣品是否堪用、品質是否穩定符合原來IC設計的規格，因此在挑選新材料的開發時期以及確認材料變更後的生產驗證，勢必要進行一連串嚴格的材料分析….
在異質整合先進封裝技術中，表面的機械特性與異質材料間界面的附著能力，將影響元件可靠度。如何藉由分析工具，確認異質整合元件材料中Underfill的流變特性，以及金屬銅、介電材料等的材料附著能力與材料接合應力強度?…
半導體大廠先進製程大戰如火如荼展開，重砸資本支出在各項先進製程設備；若要在這場大戰奪得先鋒，關鍵在於產品良率(Yield)是否能快速提升，而先進工藝設備缺陷 ，如何影響良率與如何透過材料分析改善缺陷..
先進製程的樣品Defect若過於分散，想顧及每個位置，一般研磨手法進行去層風險較高，可能無法兼顧，該如何處理?透過PFIB去層，不僅可以邊切邊拍，針對大範圍的結構觀察，不僅可完整呈現欲觀察之結構，蝕刻效率更是傳統Dual-Beam FIB的20倍以上，可有效縮短分析速率…
晶片製程有問題，想抓出缺陷，卻總選錯分析方式?半導體生產過程中，難免遇到汙染產生，常見微粒異物可透過光學或電子顯微鏡檢測出，然而奈米等級的表面氧化或微蝕的殘留汙染，可能導致後續的鍍膜脫層，甚至影響電性阻值偏高等，需透過表面分析尋找解答，該如何選擇到位的分析方式?
2021年，可以說是 第三類寬能隙半導體 嶄露頭角的一年，已成為半導體先進材料的代表。到底什麼是「寬能隙Wide Band Gap, WBG」? 它又具有什麼特點? 為何5G、電動車、再生能源、工業4.0的產業趨勢來臨時會這麼需要它…