GaN晶片異常，怎麼辦？寬能隙半導體大躍進，就看這篇！GaN氮化鎵晶片往往容易因為場板和常見的RDL的特殊結構，使亮點容易被遮蔽，導致難以發現位於場板或閘極下方的缺陷。為了提高故障分析的成功率，宜特獨家基板移除技術，透過背向分析提升你的故障分析成功率。
CIS產品能夠從早期數十萬像素，一路朝億級像素邁進，端有賴於摩爾定律在半導體微縮製程地演進，使得訊號處理能力顯著提升。然而同時，卻也使得這類CIS產品在研發或量產階段若遇到異常，故障分析困難度提升..
先進製程中的故障分析，對於研發與產能來說更是至關重大，但元件尺寸越做越小，如何在僅有數奈米的微小尺度下，進行電晶體的特性量測以及缺陷處定位則成為了一大難題。當奈米級先進製程的元件發生故障，要找出微小尺度下的缺陷，該透過何種 奈米電性量測精準定位？
晶片結構內部有問題，想要進行切片觀察，方式好幾種，該如何針對樣品屬性，選擇正確分析手法呢？有傳統Grinding；透過機械手法Polish至所需觀察的Layer位置；透過Ion Beam進行切削；每一種分析手法有那些優勢呢? 該如何選擇呢…
當不肖晶片通路商拿假IC魚目混珠充當真品販賣，劣質晶片使得產品良率亮紅燈，進而衝擊公司信譽與形象，採購方該如何是好?宜特歸納出鑑別真假晶片可留意的內容，包括元件編號、日期、製造商、焊接腳等外觀/封裝型式…
當IC出現故障時，想分析其中一顆元件或Die的異常狀況，又礙於SiP、MCM內部打線太過複雜，將導致進行電性測試時，容易受到其他晶片或元件影響，造成判定困難。如何避開其他元件的干擾，正確判定測試結果…