晶片製程有問題，想抓出缺陷，卻總選錯分析方式?半導體生產過程中，難免遇到汙染產生，常見微粒異物可透過光學或電子顯微鏡檢測出，然而奈米等級的表面氧化或微蝕的殘留汙染，可能導致後續的鍍膜脫層，甚至影響電性阻值偏高等，需透過表面分析尋找解答，該如何選擇到位的分析方式?
在製程設備中裝載晶圓的載具，經過機台不斷重複運作，或與蝕刻液、鍍膜、機械等應力交互作用影響，可能導致粗糙度變異。這樣量測範圍與精度就並非在同一種儀器上可執行量測的，該如何精準進行樣品 表面粗糙度分析 ?
隨著製程越來越進步，對於污染缺陷點的分析要求也越來越嚴苛。這些表面汙染缺陷，該如何選擇到位的分析方式呢?一般而言，若待分析汙染物屬於有機物範疇，我們會選擇….
IC有問題，想抓出缺陷，卻總是選錯分析方式與儀器?近乎隱形的製程問題，奈米等級的表面汙染缺陷，該如何選擇到位的分析方式呢?宜特在驗證分析領域耕耘20多年…
在晶圓尚未上電路(Pattern)之前，須了解晶圓是否平整，得以確認後續Layout狀況。當晶圓上了電路之後，更需監控粗糙度數據，才能確保後續上板後的品質…
常用來判斷P/N well的方式，是將晶片染色 (stain)後，再利用SEM(掃描式電子顯微鏡)拍攝其寬度、深度及量測磊晶層厚度，但是SEM的電子影像為黑白圖像，無法有確切的數據或顏色可以分辨P/N well，往往需要自行判斷與猜測…