本文深入探討EBSD在TGV製程中的應用，解析晶粒取向、晶界特性與殘留應力，揭示如何優化微結構、減少裂紋風險，全面提升高階封裝可靠度…
隨著AI晶片、高效能運算（HPC）與CoWoS等先進封裝技術快速發展，製程穩定與可靠度要求日益提升，如何選對表面形貌分析手法，避免誤判與良率損失…
晶片製程有問題，想抓出缺陷，卻總選錯分析方式?半導體生產過程中，難免遇到汙染產生，常見微粒異物可透過光學或電子顯微鏡檢測出，然而奈米等級的表面氧化或微蝕的殘留汙染，可能導致後續的鍍膜脫層，甚至影響電性阻值偏高等，需透過表面分析尋找解答，該如何選擇到位的分析方式?
在製程設備中裝載晶圓的載具，經過機台不斷重複運作，或與蝕刻液、鍍膜、機械等應力交互作用影響，可能導致粗糙度變異。這樣量測範圍與精度就並非在同一種儀器上可執行量測的，該如何精準進行樣品 表面粗糙度分析 ?
隨著製程越來越進步，對於污染缺陷點的分析要求也越來越嚴苛。這些表面汙染缺陷，該如何選擇到位的分析方式呢?一般而言，若待分析汙染物屬於有機物範疇，我們會選擇….
IC有問題，想抓出缺陷，卻總是選錯分析方式與儀器?近乎隱形的製程問題，奈米等級的表面汙染缺陷，該如何選擇到位的分析方式呢?宜特在驗證分析領域耕耘20多年…
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