你或許知道可以利用逆向工程了解產品設計架構，避免專利糾紛；那麼若您的樣品因故無法進行破壞性去層，該使用何種工具進行逆向工程，觀察複雜線路布局(Layout)呢?
當製程演進至5奈米、3奈米，晶片裏頭的die接近螞蟻眼睛大小，因此很難藉由一般層次去除delayer來完整提取die裏頭每層電路，硬是 晶片去層 後果，不只良率偏低，更可能發生連die都除到不見的窘境，還可用什麼方式完整提出電路圖…
那要如何清楚透視微奈米級的線路避免專利糾紛？可利用大範圍掃描拍照拼圖達四萬倍、局部拍照可達百萬倍的掃描電子顯微鏡(SEM)來進行拍照…