隨著電能需求的大增，高電壓、大電流、傳輸快、散熱佳是未來新世代材料的必要條件。基本上，要能承受較高的電壓條件，即是半導體材料的能隙(Eg, Energy Band gap)要夠大，才可承受更高的臨界場(Critical electric field)，以達到穩定快速又更高功率的轉換與輸出。要如何量得能隙的數值呢？宜特材料分析實驗室建議…
ESG永續發展已經從風險管理演變為創新與機會的驅動力，由於其涵蓋的面相非常廣泛，不只是在環境領域，還包含了社會與公司治理層面，如何在大框架下，找出施行重點，並且針對重點提升ESG相關績效，是現今多數企業正面臨的挑戰…
隨著先進製程的發展，晶片尺寸已經接近1奈米的物理極限，摩爾定律正步入尾聲，而先進封裝技術已成為下一個關鍵發展方向。尤其是具備高度晶片整合能力的「異質整合」封裝技術，已成為超越摩爾定律的重要技術之一。但是，異質整合的先進封裝技術，也面臨到許多可靠度上的疑難雜症，需要進行前期的驗證分析以確認研發品質…
當半導體製程逐漸縮小至3nm甚至2nm節點(Node)，精準量測每個關鍵參數，並以大數據(Big Data)技術優化生產方法，對於改善製程良率至關重要。但傳統手動量測方法效率低、誤差大，成本又高。因此，唯有透過自動量測，才能快狠準取得正確參數…
CIS產品從早期數十萬像素，一路朝億級像素邁進，端有賴於摩爾定律(Moore’s Law)在半導體微縮製程地演進，使得訊號處理能力顯著提升。然而同時，卻也使得這類CIS產品在研發階段若遇到異常(Defect)現象時，相關故障分析困難度大大提升…
當電子設備需要在惡劣的環境運作時，選擇三防膠的塗佈通常是組裝、系統等廠商普遍採用的解決方案。本期的宜特小學堂，將介紹電子產品腐蝕的解決方案-三防膠，並剖析為何已採用三防膠塗佈的電子產品仍然發生硫化腐蝕失效？…
先進製程中的故障分析，對於研發與產能來說更是至關重大，但元件尺寸越做越小，如何在僅有數奈米的微小尺度下，進行電晶體的特性量測以及缺陷處定位則成為了一大難題…
以Ga2O3氧化鎵為主的第四代半導體躍上檯面，將成為下一個明日之星，如何鑑定呢? 本文將呈現如何應用宜特材料分析實驗室的穿透式電子顯微鏡(TEM)分析技術鑑定俗稱第四代半導體-氧化鎵(Ga2O3)磊晶層的晶體結構，晶體形貌與組成…
逆向工程 (Reverse Engineering)，對於不熟悉此工程的人，常常將之與駭客、盜版、竊盜連結在一起。但其實不盡然，隨著專利戰盛行，逆向工程對於許多企業而言，不僅是用來保護自身的專利，確保競爭對手不能非法使用這些專利，同時也保護自己不會侵犯到競爭對手的專利…